1. Plasma Processes and Polymers tba (2022) e2100127(1)-e2100127(10).
  2. J. Khun, A. Machková, P. Kašparová, M. Klenivskyi, E. Vaňková, P. Galář, J. Julák a V. Scholtz
    Molecules 27 (2022) 1-16.
  3. Communications Physics 5 (2022) 27(1)-27(8).
  4. Journal of Materials Chemistry A 10 (2022) 2064-2074.
  5. G. Abbas, F. J. Sonia, Z. A. Zafar, K. Knížek, J. Houdková, P. Jiříček, M. Bouša, J. Plšek, M. Kalbáč, J. Červenka, O. Frank
    Carbon 186 (2022) 612-623.
  6. Nanoscale 14 (2022) 1440-1451.
  7. Electrochimica Acta 404 (2022) 139754(1)-139754(9).
  8. J. Stránská Matějová, A. Hospodková, T. Košutová, T. Hubáček, M. Hývl, V. Holý
    Journal of Physics D: Applied Physics 55 (2022) 255101(1)-255101(15).
  9. A. Vlk, M. Ledinský, A. Shiryaev, E. Ekimov, Š. Stehlík
    Journal of Physical Chemistry C 126 (2022) 6318-6324.
  10. C. Schulze, H. Li, L. Mohn, M. Müller, J. Benedikt
    Plasma 5 (2022) 295-305.
  11. I. Pelant, J. Valenta
    Švejk and Physics. Inspiration coming from a ninety-years old university textbook of the Military College in Hranice
    Československý časopis pro fyziku 72 (2022) 187-190.
  12. S. Hait, N. K. Gupta, N. Sharma, L. Pandey, N. Kumar, V. Barwal, P. Kumar, S. Chaudhary
    Journal of Applied Physics 132 (2022) 133901-1-133901-10.
  13. J. Vyskočil, P. Mareš, Z. Hubička, M. Čada, T. Mates
    Surface & Coatings Technology 446 (2022) 128765(1)-128765(6).
  14. V.S. Sikarwar, A. Mašláni, M. Hlína, J. Fathi, T. Mates, M. Pohořelý, E. Meers, M. Šyc, M. Jeremiáš
    Journal of CO2 Utilization 66 (2022) 102275(1)-102275(10).
  15. ACS Nano 16, 11 (2022) 19403-19411.
  16. G. Abbas, Z. A. Zafar, F. J. Sonia, K. Knížek, J. Houdková, P. Jiříček, M. Kalbáč, J. Červenka, O. Frank
    Nanomaterials 12 (22) (2022) 3932(1)-3932(14).
  17. Journal of Physics: Conference Series 2413 (2022) 012007(1)-012007(11).
  18. E. Ugur, M. Ledinský, T. G. Allen, J. Holovský, A. Vlk, S. De Wolf
    Journal of Physical Chemistry Letters 13 (2022) 7702-7711.
  19. V. Held, N. Mrkyvkova, P. Nádaždy, K. Vegso, A. Vlk, M. Ledinský, M. Jergel, A. Chumakov, S. V. Roth, F. Schreiber, P. Siffalovic
    Journal of Physical Chemistry Letters 13 (2022) 11905-11912.
  20. S. Husain, S. Pal, X. Chen, P. Kumar, A. Kumar, A. K. Mondal, N. Behera, N. K. Gupta, S. Hait, R. Gupta, R. Brucas, B. Sanyal, A. Barman, S. Chaudhary, P. Svedlindh
    Physical Review B 105 (2022) 064422-1-064422-11.
  21. I. Pelant, P. Fojtik, K. Luterova, J. Kočka, K. Knížek, J. Stepanek
    Thin Solid Films 383 (2001) 101-103.
  22. J. Kočka, A. Fejfar, P. Fojtík, K. Luterová, I. Pelant, B. Rezek, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, V. Švrček
    Charge transport in microcrystalline Si- the specific features.
    Sol. Energ. Mat. Sol. C. 66 (2001) 61 - 71
  23. V. Švrček, I. Pelant, J. Kočka, P. Fojtík, B. Rezek, T. h. Stuchlíková, A. Fejfar, J. Stuchlík, A. Poruba, J. Toušek
    Transport Anisotropy in Microcrystalline Silicon Studied by Measurement of Ambipolar Diffusion Length.
    J. Appl. Phys. 89 (2001) 1800 - 1805
  24. Microcrystalline Silicon - Relation between Transport and Microstructure.
    Solid State Phenom. 80-81 (2001) 213 - 224
  25. V. Švrček, I. Pelant, J. Kočka, A. Fejfar, J. Toušek, M. Kondo, A. Matsuda
    A new approach to surface photovoltage measurements on hydrogenated microcrystalline silicon layers.
    Philos. Mag. Lett. 81 (2001) 405 - 410
  26. Detection of bottom depletion layer and its influence on surface photovoltage measurement in uc-Si:H.
    Thin Solid Films 383 (2001) 271 - 273
  27. J. Valenta, J. Dian, K. Luterová, I. Pelant, J. Buršík, D. Nižňanský
    Electroluminescence from Sol-Gel Derived Film of CdS Nanocrystals.
    phys. status solidi a 184 (2001) R1 - R3
  28. J. Kudrna, F. Trojánek, P. Malý, I. Pelant
    Carrier diffusion in microcrystalline silicon studied by picosecond laser induced grating technique.
    Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 626 - 628
  29. J. Kočka, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, V. Svrček, P. Fojtík, T. Mates, K. Luterová, A. Fejfar
    Amorphous/microcrystalline silicon superlattices - the chance to control isotropy and other transport properties.
    Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2540 - 2542
  30. V. Cech, J. Stuchlík
    Determination of Density of Localized States in a-Si:H from the Time Relaxation of Space-Charge-Limited Conductivity.
    phys. status solidi a 187 (2001) 487 - 491
  31. J. Mikulskas, R. Šulcas, E. Vanagas, R. Tomašiunas, K. Luterová, I. Pelant, J. -L. Rehspringer, R. Lévy
    Si+ and Ge+ ion implanted SiO2 matrices: Photoluminiscence pecularities.
    Lithuanian J. Phys. 41 (2001) 399 - 403
  32. G. Juška, N. Nekrašas, I. Stuchlík, K. Arlauskas, M. Viliunas, J. Kočka
    Features of Charge Carrier Transport in uc-Si:H/a-Si: Superlattices.
    Mater. Sci. Forum 384-385 (2001) 301 - 304