1. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác
    Improvement of luminescence properties of GaN buffer layer for fast nitride scintillator structures
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 221-225.
  2. A. Hospodková, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Nikl, O. Pacherová, J. Oswald, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, P. Brůža, D. Pánek, K. Blažek, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Heuken, E. Hulicius
    Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
    Proceedings of SPIE 10036 (2017) UNSP1003617(1)-UNSP1003617(4).
  3. A. Hospodková, J. Oswald, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, K. Blažek, G. Ledoux, C. Dujardin, M. Nikl
    On the correlations between the excitonic luminescence efficiency and the QW numbers in multiple InGaN/GaN QW structure
    Journal of Applied Physics 121 (2017) 214505(1)-214505(8).
  4. V. Křápek, K. Kuldová, J. Oswald, A. Hospodková, E. Hulicius, J. Humlíček
    Elongation of InAs/GaAs quantum dots from magnetophotoluminescence measurements
    Applied Physics Letters 89 (2006) 153108-1-153108-3.
  5. K. Kuldová, V. Křápek, A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, K. Melichar, E. Hulicius, M. Potemski, J. Humlíček
    1.3$\mu$m emission from InAs/GaAs quantum dots
    physica status solidi (c) 3 (2006) 3811-3814.
  6. K. Kuldová, V. Křápek, A. Hospodková, O. Bonaventurová-Zrzavecká, J. Oswald, E. Hulicius, J. Humlíček
    Photoluminescence and magnetophotoluminescence of circular and elliptical InAs/GaAs quantum dots
    Materials Science and Engineering: C-Biomimetic and Supramolecular Systems 26 (2006) 983-986.