Činnost

  • Návrh heterostruktur InGaN/GaN pro využití ve scintilátorech
  • Simulace heterostruktur s různými parametry (složení a tloušťky vrstev, kombinace různých materiálů apod.) softwarem Nextnano
  • Technologická příprava metodou epitaxe z organokovových molekul
  • Vyhodnocování naměřených výsledků z různých charakterizačních technik (fotoluminiscence, katodoluminiscence, různé druhy mikroskopie apod.)

ORCID 0000-0001-7484-882X