Laboratoř pro Si:H depozice

  1. J. Červenka, M. Ledinský, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, Z. Výborný, J. Holovský, K. Hruška, A. Fejfar, J. Kočka
    Ultrasharp Si nanowires produced by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    Physica Status Solidi-Rapid Research Letters 4 (2010) 37-39.
  2. A. Fejfar, A. Vetuško, V. Kalusová, O. Čertík, M. Ledinský, B. Rezek, J. Stuchlík, J. Kočka
    Relation of nanoscale and macroscopic properties of mixed-phase silicon thin films
    physica status solidi (a) 207 (2010) 582-586.
  3. A. Vetuško, A. Fejfar, M. Ledinský, B. Rezek, J. Stuchlík, J. Kočka
    Comment on "Current routes in hydrogenated microcrystalline silicon"
    Physical Review B 81 (2010) 237301(1)-237301(4).
  4. A. Vetuško, A. Fejfar, M. Ledinský, B. Rezek, J. Stuchlík, J. Kočka
    Role of the tip induced local anodic oxidation in the conductive atomic force microscopy of mixed phase silicon thin films
    physica status solidi (c) 7 (2010) 728-731.
  5. M. Ledinský, A. Vetuško, J. Stuchlík, A. Fejfar, J. Kočka
    Raman mapping of microcrystalline silicon thin films with high spatial resolution
    physica status solidi (c) 7 (2010) 704-707.
  6. E. Verveniotis, B. Rezek, E. Šípek, J. Stuchlík, J. Kočka
    Role of current profiles and atomic force microscope tips on local lectric crystallization of amorphous silicon
    Thin Solid Films 518 (2010) 5965-5970.
  7. J. Červenka, M. Ledinský, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, S. Bakardjieva, K. Hruška, A. Fejfar, J. Kočka
    The structure and growth mechanism of Si nanoneedles prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    Nanotechnology 21 (2010) 415604(1)-415604(7).
  8. P. Vašek, P. Svoboda, V. Novák, M. Cukr, Z. Výborný, V. Jurka, J. Stuchlík, M. Orlita, D.K. Maude
    Anisotropic Magnetoresistance of GaMnAs Ferromagnetic Semiconductors
    Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 23 (2010) 1161-1163.
  9. J. Kočka, A. Fejfar, P. Fojtík, K. Luterová, I. Pelant, B. Rezek, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, V. Švrček
    Charge transport in microcrystalline Si- the specific features.
    Sol. Energ. Mat. Sol. C. 66 (2001) 61 - 71
  10. V. Švrček, I. Pelant, J. Kočka, P. Fojtík, B. Rezek, T. h. Stuchlíková, A. Fejfar, J. Stuchlík, A. Poruba, J. Toušek
    Transport Anisotropy in Microcrystalline Silicon Studied by Measurement of Ambipolar Diffusion Length.
    J. Appl. Phys. 89 (2001) 1800 - 1805
  11. J. Kočka, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, B. Rezek, V. Švrček, P. Fojtík, I. Pelant, A. Fejfar
    Microcrystalline Silicon - Relation between Transport and Microstructure.
    Solid State Phenom. 80-81 (2001) 213 - 224
  12. V. Švrček, I. Pelant, J. Stuchlík, A. Fejfar, J. Kočka
    Detection of bottom depletion layer and its influence on surface photovoltage measurement in uc-Si:H.
    Thin Solid Films 383 (2001) 271 - 273
  13. J. Kočka, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, V. Svrček, P. Fojtík, T. Mates, K. Luterová, A. Fejfar
    Amorphous/microcrystalline silicon superlattices - the chance to control isotropy and other transport properties.
    Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2540 - 2542
  14. V. Cech, J. Stuchlík
    Determination of Density of Localized States in a-Si:H from the Time Relaxation of Space-Charge-Limited Conductivity.
    phys. status solidi a 187 (2001) 487 - 491
  15. G. Juška, N. Nekrašas, J. Stuchlík, K. Arlauskas, M. Viliunas, J. Kočka
    Features of Charge Carrier Transport in uc-Si:H/a-Si:H Superlattices.
    in: Ultrafast Phenomena in Semiconductors, Materials Science Forum, Trans. Tech. Publ. 2001, p. 301-304, 2001, pp.