Laboratoř pro Si:H depozice

  1. B. Rezek, J. Stuchlík, A. Fejfar, J. Kočka
    Microcrystalline silicon thin films studied by atomic force microscopy with electrical current detection.
    J. Appl. Phys. 92 (2002) 587 - 593
  2. J. Kočka, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, B. Rezek, T. Mates, V. Švrček, P. Fojtík, I. Pelant, A. Fejfar
    Model of transport in microcrystalline silicon.
    J. Non-Cryst. Solids 299-302 (2002) 355 - 359
  3. B. Rezek, T. Mates, J. Stuchlík, A. Fejfar, J. Kočka
    Influence of combined AFM/current measurement on local electronic properties of silicon thin films.
    J. Non-Cryst. Solids 299-302 (2002) 360 - 363
  4. G. Juška, N. Nekrašas, J. Stuchlík, K. Arlauskas, M. Viliunas, J. Kočka
    Features of chrge carrier transport in mc-Si:H/a-Si:H superlattices
    Mater. Sci. Forum 384-385 (2002) 301 - 304
  5. G. Juška, K. Arlauskas, N. Nekrašas, J. Stuchlík, X. Niquille, N. Wyrch
    Features of Charge carrier transport determined from carrier extraction current in uc-Si:H.
    J. Non-Cryst. Solids 299-302 (2002) 375 - 379
  6. P. Fojtík, K. Dohnalová, T. Mates, J. Stuchlík, I. Gregora, J. Chval, A. Fejfar, J. Kočka, I. Pelant
    Rapid crystallization of amorphous silicon at room temperature.
    Philosophical Magazine B (2002) 1785-1793.