"Silicen na mědi": monoatomární povrchová vrstva křemíku se silicenovým uspořádáním na Cu(3+x)Si připravená chemickým a mechanickým odlučováním (Silicen na mědi)

Hlubší poznání vlastností křemíkového analogu grafenu zvaného silicen je podmíněno existencí takových metod přípravy, které jej dokáží produkovat v dostatečné velikosti a kvalitě. V současnosti dostupné metody tuto podmínku splňují jen velmi omezeně a experimentální výzkum silicenu se proto výrazně zpožďuje za výzkumem teoretickým. Jako atraktivní cesta k přípravě silicenových povrchů se jeví použití silicidu mědi Cu(3+x)Si, jehož nedávno objevená struktura obsahuje monoatomární vrstvy křemíku se silicenovým uspořádáním oddělené klastry atomů mědi. Cílem navrhovaného projektu je najít optimální způsob přípravy Cu(3+x)Si z hlediska velikosti a kvality křemíkových vrstev a obnažit tyto vrstvy na povrchu. Silicid mědi bude připravován metodou CVD i magnetronovým naprašováním na Si či Cu substrát. Povrch pak bude obnažen buď chemickým leptáním, které odstraní pouze měď, nebo mechanickým odloučením vrstev Cu(3+x)Si od sebe. Tímto postupem bude možné vytvářet velké a souvislé monoatomární vrstvy křemíku se silicenovým uspořádáním atomů na substrátu tvořeném klastry atomů mědi.