Teplotní závislost Urbachovy energie olovnato-jodidových perovskitů

Text

Detailní zkoumání absorpčního spektra halidových perovskitů je nepostradatelným nástrojem pro pochopení jejich fotovoltaických a luminiscenčních vlastností. V tomto článku se soustředíme na teplotní závislost absorpčních spekter jodidových tenkých perovskitových vrstev (CH3NH3PbI3), s důrazem na změny absorpce na hraně zakázaného pásu (tzv. Urbachovy energie). Z naměřených dat je zřejmá univerzální relace mezi Urbachovou energií a ztrátami v napětí na prázdno. Navíc je z nich možné určit relativní hustotu rekombinačně aktivních defektů v tomto materiálu, která v našem případě je 3.8 ± 0.7 meV. Tato hodnota je výrazně menší než odpovídající hodnota pro monokrystaly křemíku, galium arsenidu, indium fosfidu či galium nitridu, což jasně ukazuje na výjimečné optoelektronické vlastnosti halidových perovskitů.

Porovnání hustoty defektů různých polovodičů
Popis

Porovnání velikostí statické Urbachovy energie, získané z její tepelné závislosti, pro monokrystaly optoelektronicky významných polovodičů a tenkou vrstvu halidových perovskotových mikrokrystalů. Perovskity mají velmi nízkou hustotu aktivních defektů.

Kontaktní osoba: Martin Ledinský
Spolupracující subjekt: Technická a přírodovědecká univerzita krále Abdalláha, Saúdská Arábie