1. J. Vyskočil, A. Hospodková, O. Petříček, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, J. Oswald, A. Vetuško
    GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 64-68.
  2. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius
    Comparison of MOVPE Grown GaAs, InGaAs and GaAsSb Covering Layers for Different InAs/GaAs Quantum Dot Applications
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 59-63.
  3. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác
    Improvement of luminescence properties of GaN buffer layer for fast nitride scintillator structures
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 221-225.
  4. J. Cajzl, P. Nekvindová, A. Macková, P. Malinský, D. Sedmidubský, M. Hušák, Z. Remeš, M. Varga, A. Kromka, R. Böttger, J. Oswald
    Erbium ion implantation into diamond – measurement and modelling of the crystal structure
    Physical Chemistry Chemical Physics 19 (2017) 6233-6245.
  5. A. Hospodková, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Nikl, O. Pacherová, J. Oswald, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, P. Brůža, D. Pánek, K. Blažek, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Heuken, E. Hulicius
    Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
    Proceedings of SPIE 10036 (2017) UNSP1003617(1)-UNSP1003617(4).
  6. A. Hospodková, J. Oswald, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, K. Blažek, G. Ledoux, C. Dujardin, M. Nikl
    On the correlations between the excitonic luminescence efficiency and the QW numbers in multiple InGaN/GaN QW structure
    Journal of Applied Physics 121 (2017) 214505(1)-214505(8).
  7. A. Hospodková, J. Vyskočil, M. Slavická Zíková, J. Oswald, J. Pangrác, O. Petříček
    GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures — improvement by composition profiling of layers surrounding QD
    Materials Research Express 4 (2017) 025502(1)-025502(8).
  8. S. Staněk, P. Nekvindová, B. Švecová, S. Vytykačová, M. Míka, J. Oswald, O. Barkman, J. Špirková
    The influence of silver ion exchange on the luminescence properties of Er-Yb silicate glasses.
    Optical Materials 72 (2017) 183-189.
  9. K. Rubešová, D. Mikolášová, T. Hlásek, V. Jakeš, P. Nekvindová, P. Matějka, M. Dendisová, Z. Zlámalová Cílová, J. Oswald
    Ageing of PVP/LiNbO3 solutions and its impact on the optical properties of Er3+/Yb3+:LiNbO3 waveguiding films
    Journal of Physics and Chemistry of Solids 111 (2017) 343-348.
  10. L. Střižík, T. Wágner, V. Weissová, J. Oswald, K. Palka, L. Beneš, M. Krbal, R. Jambor, C. Koughia, S. O. Kasap
    Solution-processed Er3+-doped As3S7 chalcogenide films: optical properties and 1.5 lm photoluminescence activated by thermal treatment
    Journal of Materials Chemistry C 5 (2017) 8489-8497.
  11. D. Mikolášová, K. Rubešová, V. Jakeš, P. Nekvindová, L. Nádherný, J. Oswald
    Polyethylene glycol (PEG) used in the preparation of (Er3+/Yb3+):LiNbO3 waveguides
    Materials Science and Engineering 266 (2017) 1-6.
  12. V. Jakeš, V. Polák, K. Rubešová, T. Hlásek, D. Mikolášová, L. Nádherný, P. Nekvindová, J. Oswald
    Modification of Er:YbAG film microstructure with a sintering Agent
    Materials Science and Engineering 266 (2017) 2-8.
  13. A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Slavická Zíková, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures
    Physica B: Condensed Matter 480 (2016) 14-22.
  14. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Vyskočil, E. Hulicius, J. Oswald, P. Komninou, J. Kioseoglou
    The Metalorganic Vapour Phase Epitaxy Growth of AIIIBV Heterostructures Observed by Reflection Anisotropy Spectroscopy
    Acta Physica Polonica A 129 (2016) A-75-A-78.
  15. F. Dubecký, J. Oswald, D. Kindl, P. Hubík, M. Dubecký, E. Gombia, A. Šagátová, P. Boháček. M. Sekáčová, V. Nečas
    Photocurrent spectra of semi-insulating GaAs M-S-M diodes: Role of the contacts
    Solid-State Electronics 118 (2016) 30-35.
  16. P. Nekvindová, O. Babčenko, J. Cajzl, A. Kromka, A. Macková, P. Malinský, J. Oswald, V. Prajzler, Z. Remeš, M. Varga
    Ion-implantation of erbium into the nanocrystalline diamond thin films
    Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 18 (2016) 679-684.
  17. T. Hlásek, V. Polák, K. Rubešová, V. Jakeš, P. Nekvindová, O. Jankovský, D. Mikolášová, J. Oswald
    Sol–gel-derived planar waveguides of Er3+:Yb3Al5O12 prepared by a polyvinylpyrrolidone-based method.
    Journal of Sol-Gel Science and Technology 80 (2016) 531-537.
  18. V. Jakeš, K. Rubešová, T. Hlásek, V. Polák, J. Oswald, L. Nádherný
    Thin films of ErNbO4 and YbNbO4 prepared by sol–gel.
    Journal of Sol-Gel Science and Technology 78 (2016) 600-605.
  19. T. Hlásek, K. Rubešová, V. Jakeš, M. Nováček, J. Oswald, P. Fitl, J. Siegel, P. Macháč
    Physical vapor deposition of Er3+: Yb3Al5O12 thin films from sol-gel derived targets
    CERAMICS-SILIKATY 60 (2016) 285-290.
  20. S. Staněk, P. Nekvindová B. Švecová, S. Vytykáčová, M. Míka, J. Oswald, A. Macková, P. Malinský, J. Špirková.
    The influence of silver-ion doping using ion implantation on the luminescence properties of Er–Yb silicate glasses
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B 371 (2016) 350-354.
  21. J. Cajzl, P. Nekvindová, A. Macková, P. Malinský, J. Oswald, S. Staněk, S. Vytykáčová, J. Špirková.
    Optical waveguides in Er:LiNbO3 fabricated by different techniques – A comparison
    Optical Materials 53 (2016) 160-168.
  22. K. Rubešová, D.Mikolášová, T.Hlásek, V.Jakeš, P.Nekvindová, D.Bouša, J. Oswald
    WaveguidingEr3+/Yb3+:LiNbO3 films preparedbyasol–gel method using polyvinylpyrrolidone
    Journal of Luminescence 176 (2016) 260-265.