1. P. Nekvindová, J. Cajzl, A. Macková, P. Malinský, J. Oswald, R. Böttger, R. Yatskiv
    Er implantation into various cuts of ZnO e experimental study and DFT modelling
    Journal of Alloys and Compounds 816 (2020) 1-14.
  2. P. Nekvindová, J. Cajzl, A. Macková, P. Malinský, J. Oswald, R. Böttger, R. Yatskiv
    Er implantation into various cuts of ZnO – experimental study and DFT modelling.
    Journal of Alloys and Compounds 111 (2020) 10-11.
  3. J. Cajzl, P. Nekvindová, K. Jeníčková, A. Jagerová, P. Malinský, Z. Remeš, N. Neykova, Y.Y. Chang, J. Oswald, U. Kentsch, A. Macková
    Erbium-ion implantation of single- and nano-crystalline ZnO
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B 464 (2020) 65-73.
  4. A. Hospodková, F. Hájek, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Oswald, T. Vaněk, A. Vetuško, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterling, A. Wagner
    A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures
    Journal of Crystal Growth 536 (2020) 125579(1)-125579(6).
  5. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, T. Hubáček, J. Oswald, K. Kuldová, F. Hájek, G. Ledoux, C. Dujardin
    Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties
    Journal of Crystal Growth 506 (2019) 8-13.
  6. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, F. Hájek, F. Dominec, N. Florini, Ph. Komninou, G. Ledoux, C. Dujardin
    Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 310-315.
  7. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, V. Jarý, F. Dominec, M. Slavická Zíková, F. Hájek, E. Hulicius, A. Vetuško, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Nikl
    Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
    CrystEngComm 21 (2019) 356-362.
  8. A. Macková, P. Malinský, A. Jagerová, R. Mikšová, Z. Sofer, K. Klímová, M. Mikulics, R. Böttger, S. Akhmadaliev, J. Oswald
    Damage accumulation and implanted Gd and Au position in a- and c-plane GaN
    Thin Solid Films 680 (2019) 102-113.
  9. V. Jakeš, K. Rubešová, J. Havlíček, V. Polák, D. Sedmidubský, J. Oswald
    Preparation of Er-doped Yb3(Al, Fe)5O12 garnets
    Materials Science and Engineering 465 (2019) 1-7.
  10. V. Prokop, L. Střižík, J. Oswald, M. Vlček, L Beneš, S. N. Yannopoulos, B. Frumarová, T. Wágner
    1.5 μm photoluminescence and upconversion photoluminescence in GeGaAsS:Er chalcogenide glass
    Pure and Applied Chemistry 111 (2019) 1-11.
  11. P. Hazdra, J. Oswald, M. Atef, K. Kuldová, A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác
    InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance
    Materials Science and Engineering B 147 (2008) 175-178.
  12. E. Hulicius, J. Oswald, J. Pangrác, J. Vyskočil, A. Hospodková, K. Kuldová, K. Melichar, T.Šimeček
    Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures
    Journal of Crystal Growth 310 (2008) 2229-2233.
  13. P. Hazdra, J. Voves, J. Oswald, K. Kuldová, A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác
    Optical characterization of MOVPE grown vertically correlated InAs/GaAs quantum dots
    Microelectronics Journal 39 (2008) 1070-1074.
  14. V. Prajzler, V. Jeřábek, O. Lyutakov, I. Hüttel, J. Špirková, V. Machovič, J. Oswald, D. Chvostová, J. Zavadil
    Optical Properties of Erbium and Erbium/Ytterbium Doped Polymethylmethacrylate
    Acta Polytechnica, Czech Technical University in Prague 48 (2008) 14-20.
  15. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius, K. Kuldová, J. Vyskočil, K. Melichar, T. Šimeček
    Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Crystal Growth 310 (2008) 5081-5084.