Text
Tato práce se zabývá syntézou ultratenkých vrstev diamantu dopovaného borem (BDD), které byly připraveny pomocí techniky povrchových vln plazmy (SWP), která umožňuje snadnou výrobu diamantových povlaků. Jelikož syntéza SWP umožňuje výrobu BDD při mnohem nižších teplotách ve srovnání s konvenčními metodami syntézy, byly ultratenké vrstvy BDD připraveny při teplotě 500 °C. Hlavní pozornost byla věnována systematické optimalizaci koncentrace CO2 v plynné fázi s cílem dosáhnout vrstev BDD s mírnými polovodičovými elektrickými vlastnostmi, které jsou zajímavé pro několik aplikací (elektrochemické a plynové senzory).
