Multiplexní InGaN/GaN kvantové struktury představují ideální scintilátorové struktury, a to v důsledku velké účinnosti zářivé rekombinace v InGaN/GaN kvantových jamách, vysoké radiační odolnosti a stabilitě nitridových sloučenin. Ve Fyzikálním ústavu AV ČR, v. v. i., byla navržena scintilátorová multiplexní InGaN/GaN kvantová struktura (viz obrázek), která byla realizovaná firmou Aixtron. Provedené testy, včetně unikátních měření spektrálně rozlišené scintilační odezvy radioluminiscence při excitaci nanosekundovými pulzy měkkého rentgenového záření v širokém časovém oboru, prokázaly přednosti takové struktury pro scintilační použití před běžně používanými monokrystalickými scintilátory z YAP:Ce nebo YAG:Ce. Navrženou scintilátorovou multiplexní InGaN/GaN kvantovou strukturu je nutné optimalizovat; zvětšit energetickou vzdálenost mezi rychlým excitonovým pásem a pomalým příměsovým pásem a snížit pnutí ve struktuře tak, aby se dal zvětšit počet InGaN kvantových jam a tím zvýšit účinnost scintilátoru.
