V návaznosti na náš předchozí výzkum amorfních a vícefázových nanokrystalických tenkých vrstev jsme identifikovali podmínky růstu vrstev vysokoentropické slitiny HfNbTaTiZr s jedinou BCC fází. Při DC magnetronovém naprašování za nízkého výkonu je teplota substrátu klíčovým parametrem řídícím pohyblivost atomů a krystalizaci vrstvy. Epitaxní růst se zrny orientovanými rovinami (110) vůči substrátu MgO (100) byl dosažen při optimální teplotě 500 °C. Tento přístup využívající střední teploty překonává jak kinetická omezení nízkoteplotního amorfního růstu, tak fázovou segregaci při vyšších teplotách, což umožňuje přípravu vysoce kvalitních chemicky komplexních vrstev. Kombinací pozitronové anihilační spektroskopie s proměnnou energií a rentgenové fotoelektronové spektroskopie jsme propojili defekty s volným objemem s přirozenou oxidací napříč odlišnými mikrostrukturními variantami připravenými v širokém rozsahu depozičních teplot až do 800 °C.
Srovnání mikrostruktury a oxidačních vlastností jednofázových vrstev HfNbTaTiZr s vláknitou texturou (vlevo) a epitaxních vrstev (vpravo).