Přeskočit do hlavního obsahu
FZU
Menu
Kontakty
Facebook
LinkedIn
Bluesky
Instagram
Youtube
Menu uživatelského účtu
Přihlásit se
English
Hlavní navigace
Výzkum
Výzkumné sekce a oddělení
Organizační schéma
Výzkumná témata
Významné výsledky
Publikace
Projekty
Společná pracoviště
Partnerské instituce
Aktuality z výzkumu
Lidé
Služby
Podpora vědců
Pro firmy
Oblasti expertízy
Patenty a licence
Open Science
Vybavení a technologie
Možnosti spolupráce
Reference
Novinky
Akce
Veřejnost
Akce pro veřejnost
Akce pro školy
Akce pro studenty
Novinky z popularizace
Výukové materiály
Online přednášky
Časopisy a weby
Virtuální prohlídky
Kariéra
Volná místa
Pro studující
Proč FZU?
Rozvoj kariéry
Welcome Office
Kontaktujte nás
HR Award
Projekt Návraty
Alumni klub FZU
O FZU
Kontakt
Organizační struktura
Vedení FZU
Rada FZU
Dozorčí rada FZU
Mezinárodní poradní sbor
Činnost FZU
Historie FZU
Úřední deska
Pro média
English
Menu uživatelského účtu
Přihlásit se
Drobečková navigace
Home
Výzkum
Výzkumné sekce a oddělení
Sekce fyziky pevných látek
Oddělení tenkých vrstev a nanostruktur
Laboratoř leptání
Patenty
Laboratoř leptání
O nás
Lidé
Výsledky
Publikace
Granty
Patenty
(vaše aktuální poloha)
Název:
P. Galář
,
K. Kůsová
,
A. Fučíková
,
J. Khun
EP 3796366; A METHOD FOR SURFACE MODIFICATION OF SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES USING NON-THERMAL PLASMA ACTIVATED WATER AND PRODUCT THEREOF
K. Kůsová
,
O. Cibulka
,
K. Dohnalová
,
K. Žídek
,
A. Fučíková a I.Pelant
Methods for the preparation of optically clear solutions of silicon nanocrystals with short-wavelength luminescence
K. Kůsová
,
O. Cibulka
,
K. Dohnalová
,
K. Žídek
,
A. Fučíková
,
I. Pelant
Method for the preparation of optically clear solution of silicon nanocrystals with short-wavelength luminescence
O nás
Lidé
Výsledky
Publikace
Granty
Patenty
(vaše aktuální poloha)
You must have JavaScript enabled to use this form.
Aby vám nic neuteklo
Přihlaste se k odběru nejzajímavějších novinek z fyzikálního světa.
Informace o zpracování osobních údajů
© 1998 – 2026 Copyright © Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.