Vyvinutí metody – Profilometrie křemíkových tenkých vrstev za použití spektroskopie Ramanova rozptylu

Autoři

Martin Ledinský, Bertrand Paviet-Salomon, Aliaksei Vetushka, Jonas Geissbühler, Andrea Tomasi, Matthieu Despeisse, Stefaan De Wolf , Christophe Ballif & Antonín Fejfar

Laboratoř / Oddělení
Tenké vrstvy
Citace
https://doi.org/10.1038/srep37859
DOI
10.1038/srep37859
Rok
2016

Při řešení evropského projektu Horizont 2020 - NextBase jsme vyvinuly několik charakterizačních metod vhodných pro extrémně tenké vrstvy (s tloušťkou pod 20 nm). Jedna z těchto metod využívá absorpci signálu Ramanova rozptylu krystalického křemíku tenkou vrstvou amorfního křemíku deponovanou na tomto substrátu. Tato bezkontaktní metoda tak umožňuje měřit tloušťky tenkých vrstev s výraznou povrchovou drsností s přesností desetin nanometrů. Metoda byla identifikována jako zásadní výsledek aplikačního charakteru EU projektu, proto pokračujeme v jejím vývoji.

a) Ramanovo spektrum krystalického křemíku mimo a z amorfním křemíkem pokrytého místa; b) Nákres zkoumaného vzorku; c) Příslušná mapa integrálních intenzit signálu krystalického křemíku. Integrace proběhla od 505 – 535 cm-1.
a) Ramanovo spektrum krystalického křemíku mimo a z amorfním křemíkem pokrytého místa; b) Nákres zkoumaného vzorku; c) Příslušná mapa integrálních intenzit signálu krystalického křemíku. Integrace proběhla od 505 – 535 cm-1.

Spolupracující subjekt:

  • PV-Center, Centre Suisse d’Électronique et de Microtechnique, Rue Jaquet-Droz 1, CH-2002 Neuchâtel, Switzerland (Bertrand Paviet-Salomon, Jonas Geissbühler, Matthieu Despeisse & Christophe Ballif)
  • École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Institute of microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Rue de la Maladière 71b, CH-2000 Neuchâtel, Switzerland (Andrea Tomasi & Christophe Ballif)
  • King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), KAUST Solar Center (KSC), Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia (Stefaan De Wolf)