Význam tenkých vrstev ferromagnetických polovodičů (Ga,Mn)As pro využití ve spintronice je mj. založen na magnetokrystalické anizotropii těchto materiálů. Zatímco orientace magnetické snadné osy v rovině vrstvy a její změna do normálového směru při deformaci krystalové mřížky jsou dobře pochopeným jevem, původ povrchové uniaxiální anizotropie, tj. neekvivalence směrů [110] a [-110], nebyl dosud objasněn. V této práci vysvětlujeme, na základě komplexního experimentálního a teoretického studia, možný mikroskopický mechanismus tohoto jevu. Naše měření difúzního rozptylu rentgenového záření na vrstvách (Ga,Mn)As a (Ga,Mn)(As,P) ve velké oblasti reciprokého prostoru prokázalo strukturní anizotropii těchto krystalů ve formě vrstevných chyb, které se nacházejí v krystalografických rovinách (111) a (-1-11), ale ne v rovinách (1-11) a (-111) a jejichž charakter se podařilo identifikovat numerickou simulací difrakčních obrazců. Jelikož referenční vzorek GaAs vrstevné chyby neobsahuje, lze jejich vznik připsat příměsím Mn. Interakce vrstevných chyb s atomy Mn byla teoreticky studována pomocí ab initio výpočtů totální energie pro supercely GaAs s atomem Mn substituovaným v různé vzdálenosti od vrstevné chyby, tj. narušení periodického uspořádání vrstev a, b, c. Pro všechny základní typy vrstevných chyb (záměna dvou vrstev, chybějící vrstva, vložená vrstva) jsme ukázali, že energie systému se sníží, pokud atom Mn leží v těsné blízkosti defektu (viz obrázek). To znamená, ve shodě s pozorováním, že legování manganem usnadňuje vznik vrstevných chyb v GaAs. Na druhé straně jsou magnetické atomy Mn přitahovány k vrstevným chybám a tak v látce dochází k nerovnoměrnému rozdělení Mn. Strukturní anizotropie vrstevných chyb dekorovaných magnetickými atomy tak vede k anizotropii magnetických interakcí a následně k neekvivalenci směrů [110] a [1-10]. Vzhledem ke zjištěné hustotě vrstevných chyb výpočty vysvětlují i kvantitativně pozorovanou anizotropii (Ga,Mn)As, která se uplatňuje ve spintronických součástkách založených na těchto feromagnetických polovodičích.
