Heterostruktury II typu které prostorově oddělují elektrony a díry v polovodičích při částečném překryvu jejich vlnových funkcí jsou vhodné pro využití v solárních článcích a detektorových strukturách. Na základě simulací ukazujeme, že při kombinaci InAs kvantových teček s GaAsSb vrstvou nejenže dochází k prostorovému oddělení nosičů náboje po jejich vzniku, ale struktura vlivem piezoelektrického pole obklopujícího kvantové tečky odděluje elektrony a díry i při jejich driftu strukturou (jejich trajektorie se nepotkávají) a snižuje tak významně jejich rekombinace, a tím i detekční účinnost heterostruktury. Simulované předpoklady jsou průkazně doloženy měřeními na připravených heterostrukturách.
Simulace strukturních parametrů pomocí softwaru NextNano.