Přeskočit do hlavního obsahu
Home Home Slavíme 70. výročí založení
FZU
Kontakty
  • Facebook
  • Twitter
  • Instagram
  • Youtube

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se
  • English

Hlavní navigace

  • Výzkum
    • Výzkumné sekce a oddělení
    • Organizační schéma
    • Výzkumná témata
    • Významné výsledky
    • Publikace
    • Projekty
    • Společná pracoviště
    • Partnerské instituce
    • Aktuality z výzkumu
  • Lidé
  • Služby
    • Podpora vědců
    • Pro firmy
    • Oblasti expertízy
    • Patenty a licence
    • Vybavení a technologie
    • Možnosti spolupráce
    • Reference
  • Aktuality
  • Události
  • Popularizace
    • Akce pro veřejnost
    • Materiály pro školy
    • Online přednášky
    • Časopisy a weby
    • Virtuální prohlídky
    • Popularizační články
  • Kariéra
    • Volná místa
    • Pro studující
    • Proč FZU?
    • Rozvoj kariéry
    • Welcome office
    • Kontaktujte nás
  • O FZU
    • Kontakt
    • Organizační struktura
    • Vedení FZU
    • Rada FZU
    • Dozorčí rada FZU
    • Mezinárodní poradní sbor
    • Činnost FZU
    • Historie FZU
    • Úřední deska
    • Pro média
  • English

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se

Drobečková navigace

  1. Home
  2. Výzkum
  3. Výzkumné sekce a oddělení
  4. Sekce fyziky pevných látek
  5. Oddělení polovodičů
  6. Výsledky

Oddělení polovodičů

  • O nás
  • Skupiny
  • Lidé
  • Výzkum
  • Výsledky (vaše aktuální poloha)
  • Publikace
  • Granty
  • Přístroje
  • Události
  • Experti
  • Pro studenty
  • Aktuality
  • Patenty
  • Konference FQMT

Transportní vlastnosti AlGaN/GaN HEMT struktur se spodní bariérou: vliv hustoty dislokací a vylepšení struktury

Image
HEMT BB.png

Tajemný zabiják luminiscence z nejhlubších kvantových jamách násobných InGaN/GaN struktur

Image
GaN lattice structure with Ga vacancy

Pokrok v tlustých a účinných InGaN/GaN strukturách s velkým počtem kvantových jam

Image
Dep14_CrystEngCom_Fig1.png

Difuzní šíření nervových signálů a jejich kvantová regulace

Image
Difúze v neuronu

InGaN/GaN struktury: vliv počtu kvantových jam na vlatnosti katodoluminiscence

Image
pssB 255 2018 1700464

Fotoluminiscence ve vrstvách GeGaSbS:Er připravených pulzní laserovou depozicí

Image
GaGaSbS_Er JOsw.png

Generalizovaná hlavní rovnice molekulárního můstku vylepšená pomocí opraveného zobecněného Kadonoffova-Baymova „ansatzu“

Nanokrystalický borem dopovaný diamant jako korozi odolná anoda pro oxidaci vody pomocí křemíkových fotoelektrod

Image
9-2018.jpg

InAs kvantové tečky překryté GaAsSb vrstvou tvořící heterostrukturu II. typu pro využití v solárních článcích a infračervených detektorech

Image
MatResExpr_Fig1.jpg

Er3+-dopované chalkogenidové vrstvy As3S7 připravené procesem rozpouštění: optické vlastnosti a fotoluminiscence na 1.5 μm aktivovaná tepelným zpracováním

Image
As3S7 JOsw.png

Nerovnovážná dynamika otevřených systémů a fluktuačně-disipační teorémy

K relativistické transformaci teploty

Stránkování

  • Aktuální stránka 1
  • Page 2
  • Poslední strana 3
  • Další stránka Další
  • O nás
  • Skupiny
  • Lidé
  • Výzkum
  • Výsledky (vaše aktuální poloha)
  • Publikace
  • Granty
  • Přístroje
  • Události
  • Experti
  • Pro studenty
  • Aktuality
  • Patenty
  • Konference FQMT

Aby vám nic neuteklo

Přihlaste se k odběru nejzajímavějších novinek z fyzikálního světa.

This is required.
Informace o zpracování osobních údajů

Patička - Typ uživatele

  • Pro studenty
  • Pro firmy
  • Akce pro veřejnost

Patička

  • Ochrana osobních údajů
  • Zásady používání cookies

Externí odkazy patička

  • Akademie věd České republiky
  • Facebook
  • Twitter
  • Instagram
  • Youtube

Fyzikální ústav AV ČR
Na Slovance 1999/2, 182 00 Praha 8 více >

© 1998 – 2023 Copyright © Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.