Výsledky | FZU

Transportní vlastnosti AlGaN/GaN HEMT struktur se spodní bariérou: vliv hustoty dislokací a vylepšení struktury

Tajemný zabiják luminiscence z nejhlubších kvantových jamách násobných InGaN/GaN struktur

GaN lattice structure with Ga vacancy

Pokrok v tlustých a účinných InGaN/GaN strukturách s velkým počtem kvantových jam

Difuzní šíření nervových signálů a jejich kvantová regulace

Difúze v neuronu

InGaN/GaN struktury: vliv počtu kvantových jam na vlatnosti katodoluminiscence

pssB 255 2018 1700464

Fotoluminiscence ve vrstvách GeGaSbS:Er připravených pulzní laserovou depozicí

GaGaSbS_Er JOsw.png

Generalizovaná hlavní rovnice molekulárního můstku vylepšená pomocí opraveného zobecněného Kadonoffova-Baymova „ansatzu“

Nanokrystalický borem dopovaný diamant jako korozi odolná anoda pro oxidaci vody pomocí křemíkových fotoelektrod

InAs kvantové tečky překryté GaAsSb vrstvou tvořící heterostrukturu II. typu pro využití v solárních článcích a infračervených detektorech

Er³⁺-dopované chalkogenidové vrstvy As₃S₇ připravené procesem rozpouštění: optické vlastnosti a fotoluminiscence na 1.5 μm aktivovaná tepelným zpracováním

Nerovnovážná dynamika otevřených systémů a fluktuačně-disipační teorémy

K relativistické transformaci teploty

© 1998 – 2023 Copyright © Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.