Laboratoř optické spektroskopie/LABONIT

Transportní vlastnosti AlGaN/GaN HEMT struktur se spodní bariérou: vliv hustoty dislokací a vylepšení struktury

Tajemný zabiják luminiscence z nejhlubších kvantových jamách násobných InGaN/GaN struktur

Pokrok v tlustých a účinných InGaN/GaN strukturách s velkým počtem kvantových jam

InGaN/GaN struktury: vliv počtu kvantových jam na vlatnosti katodoluminiscence

Pásová struktura I. a II. typu v závislosti na velikosti InAs/GaAs kvantových teček a na složení GaAsSb vrstvy snižující pnutí