Technologická aparatura pro přípravu polovodičových nitridových struktur AIXTRON 200-4 RF-S

Text

Technologická aparatura pro přípravu polovodičových nitridových struktur metodou MOVPE (epitaxe z organokovových sloučenin). Kombinováním vrstev sloučeninových polovodičů GaN, AlN, InN a jejich ternární směsi, jejich různým dotováním a změnami růstových parametrů lze připravit pestrou škálu polovodičových heterostruktur s různými možnostmi aplikací. Tato aparatura s horizontálním reaktorem umožňuje přípravu kvalitních krystalů nitridů hliníku a bóru za teploty až 1350 °C.