Rozhraní heterostruktury GaP/Si

Text

Růst III-V polovodičů na křemíkovém substrátu je předmětem studia již od roku 1980. Tyto materiály dokáží zvětšit účinnost přeměny solární energie ve fotovoltaických článcích nebo při rozkladu vody používaném pro ukládání elektrické energie. Galium fosfid je vhodným III-V polovodičovým kandidátem pro integraci s křemíkem kvůli velké podobnosti mřížkových parametrů obou materiálů. V naší skupině studujeme růst GaP/Si heterostruktur pomocí fotoelektronová spektroskopie využívající standardní (XPS) i tvrdé (HAXPES) rentgenové záření v kombinaci s iontovým odprašováním. Princip měření je demonstrován na obrázku. Experimentální pozorování jsou srovnávána s teoretickými výpočty atomové struktury rozhraní.

Dept27_VTXPS2.jpg
Popis

Způsoby měření rozhraní v heterostruktuře GaP/Si. (i) Metoda XPS je vhodná pro analýzu tenkých vrstev GaP; (ii) Pro tlusté vrstvy GaP lze aplikovat HASPES; (iii) Po odprášení větší části vrstvy GaP klastrovým iontovým zdrojem je rozhraní analyzováno metodou XPS.

Na tématu se podílejí