Vakance atomů kovů, jejich klastry a komplexy v nitridových polovodičích (VACCINES)

Snahou tohoto projektu je nalézt závislost koncentrace vakancí ve vrstvách GaN, InGaN, AlGaN a AlInGaN na parametrech přípravy organokovovou epitaxí. Budou definovány technologické podmínky, za kterých dochází ke tvorbě klastrů vakancí a komplexů vakancí s jinými bodovými defekty. Hlavní metodou charakterizace defektů bude pozitronová anihilační spektroskopie. Porozumění vztahu mezi technologickými parametry depozice vrstev a vznikem vlastních defektů obsahujících vakance bude velmi důležité pro technologickou přípravu nitridových součástek i jejich životnost. Identifikace typu defektů a určení jejich koncentrace nám pomůže experimentálně určit vliv jednotlivých typů defektů na optické a elektrické vlastnosti nitridových polovodičů a jejich heterotruktur. V projektu bude dále prozkoumaná pozitrony indukovaná luminiscence a na jejím základě bude vyvinuta nová metoda charakterizace luminiscenčních center.