Laserové broušení karbidu křemíku pro výkonné polovodičové aplikace (LaPSiC)

Anotace
Projekt se zaměřuje na využití vysokoenergetickýchlaserů pro broušení SiC. Broušení povrchu SiC se zpracovává diamantovými kotouči, Vzhledem k tvrdosti SiC (9,5 Mohs oproti 10 Mohs diamantu) je rychlost odstraňování relativně nízká a rychlost odstraňování SiC je podobná opotřebení diamantového kotouče. Vyvineme novou metodu laserového broušení, která sníží náklady na proces se slibným potenciálem pro zlepšení výtěžnosti, zejména díky snížení deformace destiček. Tento cíl vyžaduje vzhledem ke své složitosti spolupráci několika stran. Společnost Onsemi jako koncový uživatel výsledků projektu řídí vývoj definováním aplikace, jakož i stroje, který by mohl být použit ve výrobě. iDesyn a DEUV mají specifické znalosti o budování systémů pro zpracování SiC a zpracování SiC. Společnost HiLASE má specifické znalosti o laserech s vysokou energií/výkonem a díky svým zkušenostem dokáže postavit laserové systémy, které jsou přizpůsobeny konkrétním aplikacím.