Formování heterovalentních rozhraní: kombinované studium GaP/Si heterostruktur metodou fotoemise a ab initio DFT výpočtů (GaP-Si)

Pro novou generaci mikroelektronických zařízení jako jsou solární články a fotochemické tandemové diody pro fotolýzu vody je velmi důležitá integrace III-V polovodičů na Si. Potenciálním kandidátem pro přípravu III-V heterovrstev na Si je GaP. Příprava strmých přechodů GaP/Si metodou depozice organokovových sloučenin z plynné fáze (MOCVD) je složitý technologický úkol, protože toto rozhraní má podstatný vliv na kvalitu následného růstu epitaxních filmů a na konečné vlastnosti zařízení. Příprava strmého rozhraní GaP/Si je i v dnešní době stále otevřenou otázkou, protože mechanismy jeho vytváření na atomové úrovni nejsou doposud zcela objasněny. V tomto bilaterálním projektu se zaměříme na kombinaci optických analýz, fotoelektronových měření, hloubkového profilování a teoretických výpočtů z prvních principů (DFT) přechodu GaP/Si(001) a heterorozhraní GaP/Si(001):As, aby byly pochopeny jejich strukturní a elektronové vlastnosti na atomové úrovni. Cílem je využít získané poznatky pro kontrolu vlastností rozhraní pro jejich aplikaci při výrobě účinnějších zařízení.