Cílem dizertační práce je vyvinout nové světlo emitující heterostruktury s kvantovými jamami založené na nitridových polovodičích. Některé zdroje světla (např. modře svítící emisní diody) lze realizovat poměrně snadno pomocí InGaN/GaN kvantových jam. Existují však optoelektronické aplikace, které jsou velmi potřebné, ale pro vývoj jsou velkou výzvou. Mezi ně patří např. rychlé polovodičové scintilátory detekující hluboce pronikající ionizující záření, UV zdroje světla nebo lasery v zelené oblasti spektra. Nitridové polovodiče mají zakázaný pás v širokém rozmezí 1,8 eV pro InN přes 3,4 eV pro GaN až po 6 eV pro AlN, takže by teoreticky mohly pokrývat vlnové délky emitovaného světla v rozsahu 690-200 nm. Ve skutečnosti však prozatím neumíme dosáhnout efektivní emisi světla ve strukturách s vysokým obsahem Al (UV zdroje světla) nebo vysokým obsahem In (zdroje světla s vlnovými délkami nad 500 nm nebo scintilátory s tlustou aktivní oblastí). V rámci disertační práce bude nutné odhalit mechanismy nezářivé rekombinace v některé z těchto struktur a navrhnout heterostrukturu a technologii její přípravy, která by alespoň některou složku nezářivé rekombinace potlačovala. Práce by tak měla přispět k realizaci jedné z výše uvedených potřebných, avšak prozatím technologicky nedostupných optoelektronických aplikací.
Literatura:
[1] B. Gil, Low dimensional nitride semiconductors, Oxford Science publications, 2002, ISBN 0-19-850974 X
[2] H. Morkoc, Nitride semiconductors and Devices, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg New York 1999, ISBN 978-3-642-58562-3