Diamant legovaný borem je materiál slibný pro různé aplikace v biologii a elektrochemii, který vykazuje pozoruhodné transportní vlastnosti včetně supravodivosti. Porozumění mechanismu elektronového transportu v tomto materiálu je zajímavý fyzikální problém, jehož vyřešení má význam jak aplikační, tak i jako vodítko pro studium jiných supravodičů.
V nanokrystalickém diamantu obsahujícím cca 1 at. % boru jsme zkoumali elektrickou vodivost v oboru teplot 1,2-400 K. Materiál vykazoval přechod do supravodivého stavu u asi 1,7 K. Analýzou teplotní závislosti měrného odporu nad supravodivým přechodem jsme ukázali, že vodivost je kontrolována rozpadem tzv. slabě lokalizovaných elektronových, resp. děrových orbit. Tento poznatek vedl k navržení modelu nekonvenční supravodivosti, podle nějž je za přechod do supravodivého stavu zodpovědné párování slabě lokalizovaných děr, přičemž přitažlivá interakce je řízena mechanismem překlápění spinů.
