1. M. Alam, P. Hubík, Z. Gedeonová, L. Fekete, J. Kopeček, A. Taylor, V. Mortet
    Thick crack-free {113} epitaxial boron-doped diamond layers for power electronics—Deposition with nitrogen addition and high microwave power
    Applied Physics Letters 124 (2024) 161904(1)-161904(8).
  2. P. Čambal, S. Baluchová, A. Taylor, L. Míka, M. Vondráček, Z. Gedeonová, P. Hubík, V. Mortet, K. Schwarzová-Pecková
    Boron-doped {113}, {115} and {118}-oriented single-crystal diamond electrodes: Effect of surface pre-treatment
    Electrochimica Acta 469 (2023) 143214(1)-143214(11).
  3. T. Hubáček, K. Kuldová, Z. Gedeonová, F. Hájek, T. Košutová, S. Banerjee, P. Hubík, J. Pangrác, T. Vaněk, A. Hospodková
    Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers
    Journal of Crystal Growth 604 (2023) 127043(1)-127043(5).
  4. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, J. J. Mareš, J. Pangrác, F. Dominec, K. Kuldová, E. Hulicius
    Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters
    Journal of Crystal Growth 605 (2023) 127061-1-127061-7.
  5. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, M. Hývl, J. Pangrác, F. Dominec, T. Košutová
    Electron Transport Properties in HEMT structures improved by V-pit formation on AlGaN/GaN interface
    ACS Applied Materials and Interfaces 15 (2023) 19646-19652.
  6. N. Lambert, Z. Weiss, L. Klimša, J. Kopeček, Z. Gedeonová, P. Hubík, V. Mortet
    Highly phosphorus-doped polycrystalline diamond growth and properties
    Diamond and Related Materials 125 (2022) 108964(1)-108964(6).
  7. Z. Šobáň, P. Hazdra, A. Laposa, A. Taylor, N. Lambert, V. Povolný, J. Kroutil, Z. Gedeonová, P. Hubík, V. Mortet
    Pseudo-vertical Mo/Au Schottky diodes on {113} oriented boron doped homoepitaxial diamond layers
    Diamond and Related Materials 126 (2022) 109088(1)-109088(6).
  8. T. Vaněk, V. Jarý, T. Hubáček, F. Hájek, K. Kuldová, Z. Gedeonová, V. Babin, Z. Remeš, M. Buryj
    Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping
    Journal of Alloys and Compounds 914 (2022) 165255-.
  9. F. Hájek, A. Hospodková, P. Hubík, Z. Gedeonová, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová
    Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
    Semiconductor Science and Technology 36 (2021) 075016(1)-075016(9).
  10. V. Mortet, A. Taylor, N. Lambert, Z. Gedeonová, L. Fekete, J. Lorinčik, L. Klimša, J. Kopeček, P. Hubík, Z. Šobáň, A. Laposa, M. Davydova, J. Voves, A. Pošta, V. Povolný, P. Hazdra
    Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers
    Diamond and Related Materials 111 (2021) 108223(1)-108223(6).
  11. J. More Chevalier, L. Horák, S. Cichoň, P. Hruška, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterling, A. Wagner, J. Bulíř, P. Hubík, Z. Gedeonová, J. Lančok
    Positron Structural Analysis of ScN Films Deposited on MgO Substrate
    Acta Physica Polonica A 137 (2020) 209-214.
  12. J. More Chevalier, S. Cichoň, L. Horák, J. Bulíř, P. Hubík, Z. Gedeonová, L. Fekete, M. Poupona, J. Lančok
    Correlation between crystallization and oxidation process of ScN films exposed to air
    Applied Surface Science 515 (2020) 145968(1)-145968(11).
  13. V. Mortet, I. Gregora, A. Taylor, N. Lambert, P. Ashcheulov, Z. Gedeonová, P. Hubík
    New perspectives for heavily boron-doped diamond Raman spectrum analysis
    Carbon 168 (2020) 319-327.