Přeskočit do hlavního obsahu
Home Home
FZU
Kontakty
  • Facebook
  • LinkedIn
  • Bluesky
  • Instagram
  • Youtube

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se
  • English

Hlavní navigace

  • Výzkum
    • Výzkumné sekce a oddělení
    • Organizační schéma
    • Výzkumná témata
    • Významné výsledky
    • Publikace
    • Projekty
    • Společná pracoviště
    • Partnerské instituce
    • Aktuality z výzkumu
  • Lidé
  • Služby
    • Podpora vědců
    • Pro firmy
    • Oblasti expertízy
    • Patenty a licence
    • Open Science
    • Vybavení a technologie
    • Možnosti spolupráce
    • Reference
  • Novinky
  • Akce
  • Veřejnost
    • Akce pro veřejnost
    • Akce pro školy
    • Akce pro studenty
    • Novinky z popularizace
    • Výukové materiály
    • Online přednášky
    • Časopisy a weby
    • Virtuální prohlídky
  • Kariéra
    • Volná místa
    • Pro studující
    • Proč FZU?
    • Rozvoj kariéry
    • Welcome Office
    • Kontaktujte nás
    • HR Award
    • Projekt Návraty
    • Alumni klub FZU
  • O FZU
    • Kontakt
    • Organizační struktura
    • Vedení FZU
    • Rada FZU
    • Dozorčí rada FZU
    • Mezinárodní poradní sbor
    • Činnost FZU
    • Historie FZU
    • Úřední deska
    • Pro média
  • English

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se

Drobečková navigace

  1. Home
  2. Lidé
  3. RNDr. Jiří Pangrác
  4. Výsledky

RNDr. Jiří Pangrác

Kategorie
Odborný pracovník výzkumu a vývoje
Sekce (číslo)
Sekce fyziky pevných látek (3)
Oddělení (číslo)
Oddělení polovodičů (14)
Laboratoř / vědecká skupina
Laboratoř MOVPE (1404)
Telefon
220 318 584
E-mail
pangrac [at] fzu.cz
Lokalita
Cukrovarnická
Místnost
F 104
  • Činnost
  • Výsledky (vaše aktuální poloha)
  • Publikace
  • Patenty

Absolutní energetické hladiny nanodiamantů různého původu a povrchové chemie

Image
Figure 5.jpg

Elektronové transportní vlastnosti ve strukturách pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů zlepšené tvorbou v-pitů na rozhraní AlGaN/GaN

Image
Mechanismus vlivu V-pitů

Vztah mezi vakancemi Ga, fotoluminiscencí a podmínkami růstu vrstev GaN připravených metodou MOVPE

Image
Dep14_Vacancy in GaN.png

Nerovnoměrné rozložení velikosti a dusíku v detonačních a laserem syntetizovaných nanodiamantech

Transportní vlastnosti AlGaN/GaN HEMT struktur se spodní bariérou: vliv hustoty dislokací a vylepšení struktury

Image
HEMT structure scheme

Tajemný zabiják luminiscence z nejhlubších kvantových jamách násobných InGaN/GaN struktur

Image
GaN lattice structure with Ga vacancy

Pokrok v tlustých a účinných InGaN/GaN strukturách s velkým počtem kvantových jam

Image
Dep14_CrystEngCom_Fig1.png

InGaN/GaN struktury: vliv počtu kvantových jam na vlatnosti katodoluminiscence

Image
pssB 255 2018 1700464

InAs kvantové tečky překryté GaAsSb vrstvou tvořící heterostrukturu II. typu pro využití v solárních článcích a infračervených detektorech

Image
MatResExpr_Fig1.jpg

Pásová struktura I. a II. typu v závislosti na velikosti InAs/GaAs kvantových teček a na složení GaAsSb vrstvy snižující pnutí

Image
Dep14_QD InAs_GaAsSb.png

Aby vám nic neuteklo

Přihlaste se k odběru nejzajímavějších novinek z fyzikálního světa.

Informace o zpracování osobních údajů

Patička - Typ uživatele

  • Pro studenty
  • Pro firmy
  • FZU Alumni
  • Akce pro veřejnost

Patička

  • Ochrana osobních údajů
  • Zásady používání cookies

Externí odkazy patička

  • Akademie věd České republiky
  • Facebook
  • LinkedIn
  • Bluesky
  • Instagram
  • Youtube

Fyzikální ústav AV ČR
Na Slovance 1999/2, 182 00 Praha 8 více >

© 1998 – 2026 Copyright © Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.