Přeskočit do hlavního obsahu
Home Home Slavíme 70. výročí založení
FZU
Kontakty
  • Facebook
  • Twitter
  • Instagram
  • Youtube

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se
  • English

Hlavní navigace

  • Výzkum
    • Výzkumné sekce a oddělení
    • Organizační schéma
    • Výzkumná témata
    • Významné výsledky
    • Publikace
    • Projekty
    • Společná pracoviště
    • Partnerské instituce
    • Aktuality z výzkumu
  • Lidé
  • Služby
    • Podpora vědců
    • Pro firmy
    • Oblasti expertízy
    • Patenty a licence
    • Vybavení a technologie
    • Možnosti spolupráce
    • Reference
  • Novinky
  • Akce
  • Veřejnost
    • Akce pro veřejnost
    • Akce pro školy
    • Akce pro studenty
    • Výukové materiály
    • Online přednášky
    • Časopisy a weby
    • Virtuální prohlídky
  • Kariéra
    • Volná místa
    • Pro studující
    • Proč FZU?
    • Rozvoj kariéry
    • Welcome Office
    • Kontaktujte nás
    • HR Award
    • Alumni klub FZU
    • FAQ - Často kladené dotazy
  • O FZU
    • Kontakt
    • Organizační struktura
    • Vedení FZU
    • Rada FZU
    • Dozorčí rada FZU
    • Mezinárodní poradní sbor
    • Činnost FZU
    • Historie FZU
    • Úřední deska
    • Pro média
  • English

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se

Drobečková navigace

  1. Home
  2. Lidé
  3. prof. Ing. Eduard Hulicius, CSc.
  4. Výsledky

prof. Ing. Eduard Hulicius, CSc.

Foto
Image
Eduard Hulicius
Kategorie
Ved. věd. pracovník
Sekce (číslo)
Sekce fyziky pevných látek (3)
Oddělení (číslo)
Oddělení polovodičů (14)
Laboratoř / vědecká skupina
Laboratoř MOVPE (1404)
Telefon
220 318 576
E-mail
hulicius [at] fzu.cz
Lokalita
Cukrovarnická
Místnost
F 113/1
  • Činnost
  • Výsledky (vaše aktuální poloha)
  • Publikace
  • Granty
  • Novinky
  • Patenty
  • Přednášky pro studenty

Pokrok v tlustých a účinných InGaN/GaN strukturách s velkým počtem kvantových jam

Image
Dep14_CrystEngCom_Fig1.png

Multiplexní InGaN/GaN kvantové jámy pro rychlé scintilátory: studium radioluminiscence a fotoluminiscence

Image
Multiplexní InGaN/GaN kvantové jámy pro rychlé scintilátory: studium radioluminiscence a fotoluminiscence

Pásová struktura I. a II. typu v závislosti na velikosti InAs/GaAs kvantových teček a na složení GaAsSb vrstvy snižující pnutí

Image
Dep14_QD InAs_GaAsSb.png

Aby vám nic neuteklo

Přihlaste se k odběru nejzajímavějších novinek z fyzikálního světa.

Informace o zpracování osobních údajů

Patička - Typ uživatele

  • Pro studenty
  • Pro firmy
  • FZU Alumni
  • Akce pro veřejnost

Patička

  • Ochrana osobních údajů
  • Zásady používání cookies

Externí odkazy patička

  • Akademie věd České republiky
  • Facebook
  • Twitter
  • Instagram
  • Youtube

Fyzikální ústav AV ČR
Na Slovance 1999/2, 182 00 Praha 8 více >

© 1998 – 2024 Copyright © Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.