Cílem tohoto projektu je řízená příprava polovodičových kvantových teček (QD) na bázi InAs/GaAs, později eventuálně i GaSb, metodou organokovové epitaxe (MOVPE). Důležité optické a elektrické vlastnosti struktur s QD jsou, vzhledem k srovnatelné velikosti QD s de Broglieho vlnovou délkou elektronů a děr, určovány jejich velikostí a tvarem často více než vlastním materiálem z něhož jsou QD připraveny. Typ struktury (hustota QD, počet a vzdálenost vrstev s QD ve vertikálně uspořádaných strukturách) bude také hrát velkou roli při optimalizaci parametrů struktur. Výše popsané parametry určuje technologický postup přípravy. Tyto parametry QD hodláme řídit teplotou a rychlostí růstu, poměrem růstových prekursorů, časovým průběhem epitaxe a dalšími technologickými parametry (např. orientací a přípravou substrátu). Dosud je převládající využití QD v oblasti zdrojů záření, v rámci tohoto projektu se chceme také věnovat QD strukturám pro detektory, případně paměti.
Kvantové tečky pro detektory a jiné součástky (QD)
Anotace