V této práci heterostruktury hydrogenovaných mikrokrystalických diamantových tenkých vrstev pokryté nanovločkami MoS2 byly vytvořené pomoci jednozónového žíhání Mo za atmosférického tlaku. Změnou vstupních parametrů byly vrstvy/vločky MoS2 řízeně syntetizovány ve vertikální nebo horizontální orientaci vzhledem k fazetám diamantových zrn, což vedlo k výraznému ovlivnění elektronických a optoelektronických vlastnosti heterostruktur. Komplexní charakterizace ukazuje vliv orientace a tloušťky MoS2 na výstupní práce, povrchový potenciál, prostorově a spektrálně rozlišené fotonapětí a kinetiku přenosu náboje v heterostrukture. Seřazený růst nanovloček MoS2 a jejich vlastnosti jsou objasněny pomocí molekulární mechaniky a časově závislých DFT výpočtů, které přímočarým způsobem vysvětlují mechanismus sestavování a související optoelektronické efekty. Hlavní bod změny orientace nastává přesně při 11 nm tloušťky/délky MoS2. Nejvyšší fotoodezva 350 meV a příznivý přenos náboje jsou pozorovány pro vertikální uspořádání MoS2 na diamantu, avšak bez kovalentní vazby. Výsledky a teoretický model naznačují širší důsledky nad rámec systému MoS2-diamant.
