Činnost

Text

Zabývám se vývojem a optimalizaci top-down metody přípravy nanostrukturovaných povrchů InGaN ve formě nanosloupků, nanotrubiček, apod. Připravené InGaN nanostruktury nacházejí uplatnění ve fotokatalýze vodíku. Další oblastí, které se věnuji, je plazmatické leptání AlGaN/GaN struktur za účelem jejich použití ve vysoce výkonných tranzistorech (HEMT – high electron mobility transistor). Také se zabývám studiem elektronového transportu v AlGaN/GaN strukturách.