Ultrarychlá expanze elektron-děrového plazmatu v polovodičích s přímým zakázaným pásem

Text

Transport nositelů náboje v krystalech je určen jejich energetickou pásovou strukturou, která ve známých materiálech umožňuje pouze rychlosti menší než ~c/100. Ukázali jsme, že ultrarychlého šíření elektron-děrového plazmatu (rychlosti až c/10, dosah více než 100 μm) lze dosáhnout v polovodičích s přímým zakázaným pásem jako obecného důsledku fundamentální elektron-fotonové interakce za podmínek silné excitace materiálu světelným impulzem s energií fotonů jen málo přesahující zakázaný pás.

Šíření elektron-děrového plazmatu v GaAs.
Popis
Šíření plazmatu měřené pomocí odrazu THz impulzů na fotoexcitovaných nosičích náboje v GaAs ukazuje, že asistence světla může dramaticky urychlit rychlosti šíření nábojů.
(1) V nekoherentním režimu je šíření plazmatu určeno stimulovanou emisí a reabsorpcí fotonů; (2) V koherentním režimu za nízkých teplot vede elektron-fotonová interakce k Rabiho dynamice a formování a šíření solitonu; (3) pro srovnání: grupová rychlost světla v GaAs.

 Kontaktní osoba: Petr Kužel.