Přeskočit do hlavního obsahu
Home Home
FZU
Kontakty
  • Facebook
  • Twitter
  • Instagram
  • Youtube

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se
  • English

Hlavní navigace

  • Výzkum
    • Výzkumné sekce a oddělení
    • Organizační schéma
    • Výzkumná témata
    • Významné výsledky
    • Publikace
    • Projekty
    • Společná pracoviště
    • Partnerské instituce
    • Aktuality z výzkumu
  • Lidé
  • Služby
    • Podpora vědců
    • Pro firmy
    • Oblasti expertízy
    • Patenty a licence
    • Vybavení a technologie
    • Možnosti spolupráce
    • Reference
  • Novinky
  • Akce
  • Veřejnost
    • Akce pro veřejnost
    • Akce pro školy
    • Akce pro studenty
    • Novinky z popularizace
    • Výukové materiály
    • Online přednášky
    • Časopisy a weby
    • Virtuální prohlídky
  • Kariéra
    • Volná místa
    • Pro studující
    • Proč FZU?
    • Rozvoj kariéry
    • Welcome Office
    • Kontaktujte nás
    • HR Award
    • Alumni klub FZU
    • FAQ - Často kladené dotazy
  • O FZU
    • Kontakt
    • Organizační struktura
    • Vedení FZU
    • Rada FZU
    • Dozorčí rada FZU
    • Mezinárodní poradní sbor
    • Činnost FZU
    • Historie FZU
    • Úřední deska
    • Pro média
  • English

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se

Drobečková navigace

  1. Home
  2. Lidé
  3. Ing. Vít Novák, CSc.
  4. Výsledky

Ing. Vít Novák, CSc.

Foto
Image
Vít Novák
Pracovní pozice
Vedoucí laboratoře
Kategorie
Ved. věd. pracovník
Sekce (číslo)
Sekce fyziky pevných látek (3)
Oddělení (číslo)
Oddělení spintroniky a nanoelektroniky (15)
Laboratoř / vědecká skupina
Laboratoř syntézy materiálů (1501)
Telefon
220 318 471, 220 318 428
E-mail
novakvit [at] fzu.cz
Lokalita
Cukrovarnická
Místnost
F 99
F 95
  • Činnost
  • Výsledky (vaše aktuální poloha)
  • Publikace
  • Granty
  • Expertíza
  • Novinky

Terahertzová rychlost zápisu do antiferomagnetické paměti

Image
Terahertzová rychlost zápisu do antiferomagnetické paměti

Narušení směrové symetrie ve feromagnetických polovodičích (Ga,Mn)As a (Ga,Mn)(As,P) vysvětleno detekcí vrstevných chyb

Image
Narušení směrové symetrie ve feromagnetických polovodičích (Ga,Mn)As a (Ga,Mn)(As,P) vysvětleno detekcí vrstevných chyb

Nové antiferomagnetické spintronické součástky

Image
Nové antiferomagnetické spintronické součástky

Příprava krystalu I-Mn-V epitaxí z molekularních svazků a potvrzení polovodičového charakteru jejich pásové struktury

Prokázání možnosti růstu sloučenin typu I-Mn-V epitaxí z molekulárních svazků a jejich polovodičové pásové struktury

Image
img00_0.png

Mikroskopická analýza teorií valenčního a příměsového pásu v (Ga,Mn)As

Image
Mikroskopická analýza teorií valenčního a příměsového pásu v (Ga,Mn)As

Systematická studie trendů optických vlastností při dopování (Ga,Mn)As manganem

Image
Systematická studie trendů optických vlastností při dopování (Ga,Mn)As manganem

Objev ve výzkumu spinových tranzistorů

Image
Objev ve výzkumu spinových tranzistorů

Mikroskopická analýza teorií valenčního a příměsového pásu polovodiče (Ga,Mn)As

Aby vám nic neuteklo

Přihlaste se k odběru nejzajímavějších novinek z fyzikálního světa.

Informace o zpracování osobních údajů

Patička - Typ uživatele

  • Pro studenty
  • Pro firmy
  • FZU Alumni
  • Akce pro veřejnost

Patička

  • Ochrana osobních údajů
  • Zásady používání cookies

Externí odkazy patička

  • Akademie věd České republiky
  • Facebook
  • Twitter
  • Instagram
  • Youtube

Fyzikální ústav AV ČR
Na Slovance 1999/2, 182 00 Praha 8 více >

© 1998 – 2025 Copyright © Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.