Činnost

Zábývám se aplikačním vývojem polovodičových scintilátorů, které jsou rostlé metodou organokovové epitaxie z plyné fáze (MOVPE). Základním materiálem těchto scintilátorů je gallium nitrid (GaN), ve kterém jsou narosteny tenké vrstvy indium gallium nitridu (InGaN), které tvoří kvantové jámy. V rámci tohoto výzkumu se zabývám jak charakterizací vyrostlých scintilátorů (měření jejich luminiscenčních vlastností, topografie povrchu, složení...), tak částečně i samotnou technologií růstu. Zároveň mam na starosti i přípravu speciálních substrátů pro MOVPE růsty.

ORCID 0000-0002-6001-4282