Přeskočit do hlavního obsahu
Home Home
FZU
Kontakty
  • Facebook
  • LinkedIn
  • Bluesky
  • Instagram
  • Youtube

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se
  • English

Hlavní navigace

  • Výzkum
    • Výzkumné sekce a oddělení
    • Organizační schéma
    • Výzkumná témata
    • Významné výsledky
    • Publikace
    • Projekty
    • Společná pracoviště
    • Partnerské instituce
    • Aktuality z výzkumu
  • Lidé
  • Služby
    • Podpora vědců
    • Pro firmy
    • Oblasti expertízy
    • Patenty a licence
    • Vybavení a technologie
    • Možnosti spolupráce
    • Reference
  • Novinky
  • Akce
  • Veřejnost
    • Akce pro veřejnost
    • Akce pro školy
    • Akce pro studenty
    • Novinky z popularizace
    • Výukové materiály
    • Online přednášky
    • Časopisy a weby
    • Virtuální prohlídky
  • Kariéra
    • Volná místa
    • Pro studující
    • Proč FZU?
    • Rozvoj kariéry
    • Welcome Office
    • Kontaktujte nás
    • HR Award
    • Alumni klub FZU
  • O FZU
    • Kontakt
    • Organizační struktura
    • Vedení FZU
    • Rada FZU
    • Dozorčí rada FZU
    • Mezinárodní poradní sbor
    • Činnost FZU
    • Historie FZU
    • Úřední deska
    • Pro média
  • English

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se

Drobečková navigace

  1. Home
  2. Lidé
  3. Ing. Tomáš Hubáček, Ph.D.
  4. Patenty

Ing. Tomáš Hubáček, Ph.D.

Foto
Image
Tomáš Hubáček
Pracovní pozice
Vedoucí laboratoře
Kategorie
Postdoktorand
Sekce (číslo)
Sekce fyziky pevných látek (3)
Oddělení (číslo)
Oddělení polovodičů (14)
Laboratoř / vědecká skupina
Laboratoř MOVPE (1404)
Telefon
220 318 584, 220 318 595
E-mail
hubacekt [at] fzu.cz
Lokalita
Cukrovarnická
Místnost
F 104
F 107
  • Činnost
  • Výsledky
  • Publikace
  • Patenty (vaše aktuální poloha)
  • (-) Vše
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2020
  • 2019
  • (-) Vše
  • Prototyp a funkční vzorek
  • Patent
  • Poloprovoz, ověřená technologie
  1. T.Vaněk, A. Hospodková, F. Hájek, K. Blažek, T. Hubáček, F. Dominec
    Luminescent epitaxial structure and way of preparation
  2. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, V. Jarý
    Technology of preparation of thick InGaN/GaN layers
  3. T. Hubáček, A. Hospodková
    FW03010298-V24: GaN buffer layers on YAP, GaGG
  4. T. Hubáček, A. Hospodková
    FW03010298-V25: Nitride heterostructure for ionized radiation imaging
  5. T. Hubáček, A. Hospodková
    Functional sample - fast decay scintillator based on InGaN/GaN multiple quantum wells
  6. T. Hubáček, A. Hospodková
    Preparation of functional InGaN/GaN heterostructure on sapphire substrate
  7. A. Hospodková, T. Hubáček
    Preparation method of epitaxial structure with InGaN quantum wells

Aby vám nic neuteklo

Přihlaste se k odběru nejzajímavějších novinek z fyzikálního světa.

Informace o zpracování osobních údajů

Patička - Typ uživatele

  • Pro studenty
  • Pro firmy
  • FZU Alumni
  • Akce pro veřejnost

Patička

  • Ochrana osobních údajů
  • Zásady používání cookies

Externí odkazy patička

  • Akademie věd České republiky
  • Facebook
  • LinkedIn
  • Bluesky
  • Instagram
  • Youtube

Fyzikální ústav AV ČR
Na Slovance 1999/2, 182 00 Praha 8 více >

© 1998 – 2025 Copyright © Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.