Ocenění příspěvku na konferenci ICANS 28

Datum publikace
Kategorie aktualit
Perex

Konference ICANS 28 (28th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors) se konala ve dnech 4.–9. srpna ve francouzském Palaiseau.

Ing. Matěj Hývl z Oddělení tenkých vrstev a nanostruktur prezentoval na konferenci ICANS 28 příspěvek s názvem "Nanoscale Study of the Hole-selective Passivating Contacts for High-Efficiency Silicon Solar Cells Using C-AFM Tomography“, jenž byl oceněn jednou ze tří cen o nejlepší poster na konferenci.

Tento příspěvek pojednává o pokročilých měřeních elektrických vlastností pasivujících kontaktů pro křemíkové solární články pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM), které M. Hývl provádí s RNDr. Martinem Ledinským, Ph.D. ve spolupráci se švýcarskou univerzitou EPFL (École polytechnique fédérale de Lausanne).

Principem jejich měřící metody, nazývané C-AFM tomografie, je postupné odstraňování tenkých vrstev materiálu během měření. To umožňuje používat jinak výhradně povrchovou metodu C-AFM pro získávání informací z objemu materiálu. C-AFM tomografie jim umožnila obejít řadu problémů, které podobná měření provází v ostatních skupinách zabývajících se obdobným tématem, a přinést tak unikátní pohled do aktuálního problému současné fotovoltaiky.

Konference ICANS 28 (28th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors) se konala ve dnech 4.–9. srpna ve francouzském Palaiseau.

Tagy článku: