Ing. Matěj Hývl

Ocenění příspěvku na konferenci ICANS 28

Anotace

Matěj Hývl z Oddělení tenkých vrstev a nanostruktur prezentoval na konferenci ICANS 28 příspěvek s názvem "Nanoscale Study of the Hole-selective Passivating Contacts for High-Efficiency Silicon Solar Cells Using C-AFM Tomography“, jenž byl oceněn jednou ze tří cen o nejlepší poster na konferenci.