Přeskočit do hlavního obsahu
Home Home
FZU
Kontakty
  • Facebook
  • LinkedIn
  • Bluesky
  • Instagram
  • Youtube

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se
  • English

Hlavní navigace

  • Výzkum
    • Výzkumné sekce a oddělení
    • Organizační schéma
    • Výzkumná témata
    • Významné výsledky
    • Publikace
    • Projekty
    • Společná pracoviště
    • Partnerské instituce
    • Aktuality z výzkumu
  • Lidé
  • Služby
    • Podpora vědců
    • Pro firmy
    • Oblasti expertízy
    • Patenty a licence
    • Open Science
    • Vybavení a technologie
    • Možnosti spolupráce
    • Reference
  • Novinky
  • Akce
  • Veřejnost
    • Akce pro veřejnost
    • Akce pro školy
    • Akce pro studenty
    • Novinky z popularizace
    • Výukové materiály
    • Online přednášky
    • Časopisy a weby
    • Virtuální prohlídky
  • Kariéra
    • Volná místa
    • Pro studující
    • Proč FZU?
    • Rozvoj kariéry
    • Welcome Office
    • Kontaktujte nás
    • HR Award
    • Projekt Návraty
    • Alumni klub FZU
  • O FZU
    • Kontakt
    • Organizační struktura
    • Vedení FZU
    • Rada FZU
    • Dozorčí rada FZU
    • Mezinárodní poradní sbor
    • Činnost FZU
    • Historie FZU
    • Úřední deska
    • Pro média
  • English

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se

Drobečková navigace

  1. Home
  2. Lidé
  3. Ing. Markéta Slavická Zíková, Ph.D.
  4. Výsledky

Ing. Markéta Slavická Zíková, Ph.D.

Foto
Image
Markéta Slavická Zíková
Kategorie
Postdoktorand
Sekce (číslo)
Sekce fyziky pevných látek (3)
Oddělení (číslo)
Oddělení polovodičů (14)
Laboratoř / vědecká skupina
Laboratoř MOVPE (1404)
Telefon
220 318 496
E-mail
zikova [at] fzu.cz
Lokalita
Cukrovarnická
Místnost
F 113
  • Činnost
  • Výsledky (vaše aktuální poloha)
  • Publikace
  • Patenty

Tajemný zabiják luminiscence z nejhlubších kvantových jamách násobných InGaN/GaN struktur

Image
GaN lattice structure with Ga vacancy

Pokrok v tlustých a účinných InGaN/GaN strukturách s velkým počtem kvantových jam

Image
Dep14_CrystEngCom_Fig1.png

InAs kvantové tečky překryté GaAsSb vrstvou tvořící heterostrukturu II. typu pro využití v solárních článcích a infračervených detektorech

Image
MatResExpr_Fig1.jpg

Pásová struktura I. a II. typu v závislosti na velikosti InAs/GaAs kvantových teček a na složení GaAsSb vrstvy snižující pnutí

Image
Dep14_QD InAs_GaAsSb.png

Aby vám nic neuteklo

Přihlaste se k odběru nejzajímavějších novinek z fyzikálního světa.

Informace o zpracování osobních údajů

Patička - Typ uživatele

  • Pro studenty
  • Pro firmy
  • FZU Alumni
  • Akce pro veřejnost

Patička

  • Ochrana osobních údajů
  • Zásady používání cookies

Externí odkazy patička

  • Akademie věd České republiky
  • Facebook
  • LinkedIn
  • Bluesky
  • Instagram
  • Youtube

Fyzikální ústav AV ČR
Na Slovance 1999/2, 182 00 Praha 8 více >

© 1998 – 2026 Copyright © Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.