1. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterilng, A. Wagner, P. Hubík, E. Hulicius
    Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor
    Journal of Crystal Growth 531 (2020) 125383(1)-125383(7).
  2. A. Hospodková, F. Hájek, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Oswald, T. Vaněk, A. Vetuško, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterling, A. Wagner
    A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures
    Journal of Crystal Growth 536 (2020) 125579(1)-125579(6).
  3. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, T. Hubáček, J. Oswald, K. Kuldová, F. Hájek, G. Ledoux, C. Dujardin
    Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties
    Journal of Crystal Growth 506 (2019) 8-13.
  4. F. Dominec, A. Hospodková, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, A. Vetuško, E. Hulicius
    Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 246-250.
  5. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, F. Hájek, F. Dominec, N. Florini, Ph. Komninou, G. Ledoux, C. Dujardin
    Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 310-315.
  6. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, V. Jarý, F. Dominec, M. Slavická Zíková, F. Hájek, E. Hulicius, A. Vetuško, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Nikl
    Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
    CrystEngComm 21 (2019) 356-362.
  7. E. Hulicius, A. Hospodková, M. Slavická Zíková
    Quantum Dots
    Chapter 6: Quantum dots (pp.175-216), in: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE): Growth, Materials Properties, Ed.: Stuart Irvine, Peter Capper, Wiley Series in Materials for Electronic & Optoelectronic Applications, ISBN: 978-1-119-31301-4, October 2019, 584 Pages.
  8. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová, F. Hájek, F. Dominec, A. Vetuško, S. Hasenöhrl
    Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE
    Lithuanian Journal of Physics 59 (2019) 179-186.
  9. O. Rettig, J.-P. Scholz, N. Steiger, S. Bauer, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, Y. Li, H. Qi, J. Biskupek, U. Kaiser, K. Thonke, F. Scholz
    Investigation of Boron Containing AlN and AlGaN Layers Grown by MOVPE
    physica status solidi (b) 255 (2018) 1700510(1)-1700510(9).
  10. J. Vyskočil, A. Hospodková, O. Petříček, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, J. Oswald, A. Vetuško
    GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 64-68.
  11. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius
    Comparison of MOVPE Grown GaAs, InGaAs and GaAsSb Covering Layers for Different InAs/GaAs Quantum Dot Applications
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 59-63.
  12. A. Hospodková, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Nikl, O. Pacherová, J. Oswald, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, P. Brůža, D. Pánek, K. Blažek, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Heuken, E. Hulicius
    Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
    Proceedings of SPIE 10036 (2017) UNSP1003617(1)-UNSP1003617(4).
  13. A. Hospodková, J. Oswald, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, K. Blažek, G. Ledoux, C. Dujardin, M. Nikl
    On the correlations between the excitonic luminescence efficiency and the QW numbers in multiple InGaN/GaN QW structure
    Journal of Applied Physics 121 (2017) 214505(1)-214505(8).
  14. A. Hospodková, J. Vyskočil, M. Slavická Zíková, J. Oswald, J. Pangrác, O. Petříček
    GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures — improvement by composition profiling of layers surrounding QD
    Materials Research Express 4 (2017) 025502(1)-025502(8).
  15. A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Slavická Zíková, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures
    Physica B: Condensed Matter 480 (2016) 14-22.
  16. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Vyskočil, E. Hulicius, J. Oswald, P. Komninou, J. Kioseoglou
    The Metalorganic Vapour Phase Epitaxy Growth of AIIIBV Heterostructures Observed by Reflection Anisotropy Spectroscopy
    Acta Physica Polonica A 129 (2016) A-75-A-78.
  17. P. Klenovský, D. Hemzal, P. Steindl, M. Slavická Zíková, V. Křápek, J. Humlíček
    Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots
    Physical Review B 92 (2016) 241302(1)-241302(5).
  18. M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman, P.V. Semenikhin, K.V. Kalinina, R.V. Parfeniev, V.A. Berezovets, M.O. Safonchik, A. Hospodková, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, E. Hulicius
    Microwave radiation absorption and Shubnikov-de Haas oscillations in semimetal InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells
    Journal of Nanophotonics 10 (2016) 046013(1)-046013(8).
  19. M. Mikhailova, E. Ivanov, L. Danilov, A. Petukhov, K. Kalinina, N. Stoyanov, Y. Yakovlev, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, M. Slavická Zíková, E. Hulicius
    Superlinearity and temperature dependence of electroluminescence in heterostructures with deep AlSb/InAs1-xSbx/AlSb quantum well
    Proceedings of SPIE 9450 (2015) 94500J-94500J.
  20. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, P. Krčil, E. Hulicius, Ph. Komninou, J. Kioseoglou
    MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm
    Journal of Crystal Growth 414 (2015) 167-171.
  21. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Vyskočil, M. Slavická Zíková, J. Oswald, Ph. Komninou, E. Hulicius
    Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy
    Journal of Crystal Growth 414 (2015) 156-160.
  22. A. Hospodková, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, J. Oswald, J. Vyskočil, Ph. Komninou, J. Kioseoglou, N. Florini, E. Hulicius
    Effect of the Lower and Upper Interfaces on the Quality of InAs/GaAs Quantum Dots
    Applied Surface Science 301 (2014) 173-177.
  23. M.P. Mikhailova, E.V. Ivanov, L.V. Danilov, A.A. Petukhov, K.V. Kalinina, S.I. Slobozhanyuk, G.G. Zegrya, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, M. Slavická Zíková, E. Hulicius
    Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum well
    Journal of Applied Physics 115 (2014) 223102(1)-223102(5).
  24. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, J. Oswald, K. Kuldová, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Graded GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Crystal Growth 370 (2013) 303-306.
  25. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, J. Oswald, J. Kubištová, K. Kuldová, P. Hazdra, E. Hulicius
    Type I - type II band alignment of GaAsSb/InAs/GaAs quantum dot heterostructure influenced by dot size and strain reducing layer composition
    Journal of Physics D: Applied Physics 46 (2013) 095103(1)-095103(6).
  26. M. P. Mikhailova, L. V. Danilov, K. V. Kalinina, E. V. Ivanov, N. D. Stoyanov, G. G. Zegrya, Y. P. Yaklovev, A. Hospodková, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, E. Hulicius
    Superlinear Luminescence and Enhancement of Optical Power in GaSb-based Heterostructures with High Conduction-Band Offsets and Nanostructures with Deep Quantum Wells
    Chapter in The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications, M. Razeghi. L. Esaki, and K. von Klitzing, Eds., SPIE Press, Bellingham, WA, pp. 105-131 (2013), ISBN: 0819495964.
  27. A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, J. Kubištová, Ph. Komninou, J. Kioseoglou, K. Kuldová, E. Hulicius
    Combined vertically correlated InAs and GaAsSb quantum dots separated by triangular GaAsSb barrier
    Journal of Applied Physics 114 (2013) 174305(1)-174305(5).
  28. M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, K. V. Kalinina, N. D. Stoyanov, G. G. Zegrya, Yu. P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodková, J. Pangrác, M. Slavická Zíková
    Superlinear electroluminescence due to impact ionization in GaSb-based heterostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells
    Journal of Applied Physics 112 (2012) 023108(1)-023108(5).