Přeskočit do hlavního obsahu
Home Home
FZU
Kontakty
  • Facebook
  • Twitter
  • Instagram
  • Youtube

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se
  • English

Hlavní navigace

  • Výzkum
    • Výzkumné sekce a oddělení
    • Organizační schéma
    • Výzkumná témata
    • Významné výsledky
    • Publikace
    • Projekty
    • Společná pracoviště
    • Partnerské instituce
    • Aktuality z výzkumu
  • Lidé
  • Služby
    • Podpora vědců
    • Pro firmy
    • Oblasti expertízy
    • Patenty a licence
    • Vybavení a technologie
    • Možnosti spolupráce
    • Reference
  • Novinky
  • Akce
  • Veřejnost
    • Akce pro veřejnost
    • Akce pro školy
    • Akce pro studenty
    • Novinky z popularizace
    • Výukové materiály
    • Online přednášky
    • Časopisy a weby
    • Virtuální prohlídky
  • Kariéra
    • Volná místa
    • Pro studující
    • Proč FZU?
    • Rozvoj kariéry
    • Welcome Office
    • Kontaktujte nás
    • HR Award
    • Alumni klub FZU
    • FAQ - Často kladené dotazy
  • O FZU
    • Kontakt
    • Organizační struktura
    • Vedení FZU
    • Rada FZU
    • Dozorčí rada FZU
    • Mezinárodní poradní sbor
    • Činnost FZU
    • Historie FZU
    • Úřední deska
    • Pro média
  • English

Menu uživatelského účtu

  • Přihlásit se

Drobečková navigace

  1. Home
  2. Lidé
  3. Ing. Jiří Oswald, CSc.
  4. Patenty

Ing. Jiří Oswald, CSc.

Foto
Image
RV1_7994.jpg
Kategorie
Ved. věd. pracovník
Sekce (číslo)
Sekce fyziky pevných látek (3)
Oddělení (číslo)
Oddělení polovodičů (14)
Laboratoř / vědecká skupina
Skupina Optické spektroskopie (1408)
Telefon
220 318 583
E-mail
oswald [at] fzu.cz
Lokalita
Cukrovarnická
Místnost
A 44/4
  • Činnost
  • Výsledky
  • Publikace
  • Granty
  • Patenty (vaše aktuální poloha)
  • (-) Vše
  • 2024
  • 2013
  • (-) Vše
  • Patent
  • Poloprovoz, ověřená technologie
  1. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, V. Jarý
    Technology of preparation of thick InGaN/GaN layers
  2. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald
    Gallium arsenide antimonite layer with graded composition for reducing strain in indium arsenide/gallium arsenide quantum dots

Aby vám nic neuteklo

Přihlaste se k odběru nejzajímavějších novinek z fyzikálního světa.

Informace o zpracování osobních údajů

Patička - Typ uživatele

  • Pro studenty
  • Pro firmy
  • FZU Alumni
  • Akce pro veřejnost

Patička

  • Ochrana osobních údajů
  • Zásady používání cookies

Externí odkazy patička

  • Akademie věd České republiky
  • Facebook
  • Twitter
  • Instagram
  • Youtube

Fyzikální ústav AV ČR
Na Slovance 1999/2, 182 00 Praha 8 více >

© 1998 – 2025 Copyright © Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.