Projekt se zabývá přípravou a teoretickým studiem opticky transparentních heteropřechodů polovodičů na bázi halogenidů mědi, zejména CuI a CuBr, které jsou polovodiče typu p s přímým přechodem zakázaného pásu vyznačující se vysokou pohyblivostí děr ve srovnání se známými oxidy typu p, a oxidů kovů typu n. Mezi různými materiály je dobrým kandidátem na vytvoření takovéto heterostruktury oxid zinečnatý s širokým aplikačním potenciálem v optoelektronice. Zvláštním případem bude heterostruktura vytvořená na nanotyčinkách ZnO. Studován bude zejména přenos elektrického náboje na rozhraní těchto heterostruktur. Nedílnou součástí projektu je detailní studium vlivu strukturních poruch (vakancí jodu a mědi) a vliv dopantů na změny v pásové struktuře, které se projeví v elektronových transportních jevech. Závěrečná část projektu bude zaměřena na zvýšení environmentální stability halogenidů a přípravu funkčních struktur – transparentních diod, senzorů a tenkovrstvých tranzistorů s využitím znalostí získaných během výzkumu heterostruktur.
Transport elektrického náboje v heterostrukturách s halogenidy mědi
Anotace