1. M. Hývl, M. Müller, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, M. Šilhavík, J. Kočka, A. Fejfar, J. Červenka
    Nucleation and growth of metal-catalyzed silicon nanowires under plasma
    Nanotechnology 31 (2020) 225601(1)-225601(11).
  2. M. Šilhavík, M. Müller, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, M. Klementová, J. Kočka, A. Fejfar, J. Červenka
    Comparative study of catalyst-induced doping and metal incorporation in silicon nanowires
    Applied Physics Letters 114 (2019) 132103(1)-132103(5).
  3. Z. Remeš, J. Stuchlík, H. T. Stuchlikova, K. Aubrechtová Dragounová, P. Ashcheulov, A. Taylor, V. Mortet, A. Poruba
    Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond
    phys. status solidi a  (2019) 1900241(1) - 1900241(6)
  4. T. h. Stuchlíková, V. Píč, M. Ledinský, A. Purkrt, Z. Remeš, J. Stuchlík
    In-situ formation of magnesium silicide nanoparticles on the surface of the hydrogenated silicon films
    JJAP Conference Proceedings 5 (2017) 011303(1)-011303(5).
  5. J. Kočka, M. Müller, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, J. Červenka, A. Fejfar
    Role of a-Si:H in lateral growth of crystalline silicon nanowires using Pb and In catalysts
    physica status solidi (a) 1-5 (2016) (1)-(5).
  6. Z. Remeš, T. Novák, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, V. Dřínek, R. Fajgar, K. Zhuravlev
    Infrared photoluminescence spectra of PbS nanoparticles prepared by Langmuir–Blodgett and laser ablation methods
    Acta Polytechnica, Czech Technical University in Prague 54 (2014) 426-429.
  7. M. Müller, J. Kočka, H. G. El Gohary, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, K. Hruška, B. Rezek, M. Ledinský, A. Fejfar
    Preparation and testing of silicon nanowires
    Canadian Journal of Physics 7/8 (2014) 819-821.
  8. J. Červenka, M. Ledinský, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, Z. Výborný, J. Holovský, K. Hruška, A. Fejfar, J. Kočka
    Ultrasharp Si nanowires produced by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    Physica Status Solidi-Rapid Research Letters 4 (2010) 37-39.
  9. Z. Remeš, A. Kromka, M. Vaněček, O. Babčenko, T.-H. Stuchlíková, J. Červenka, K. Hruška, T. Q. Trung
    The optical absorption of metal nanoparticles deposited on ZnO films
    physica status solidi (a) 207 (2010) 1722-1725.
  10. J. Červenka, M. Ledinský, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, S. Bakardjieva, K. Hruška, A. Fejfar, J. Kočka
    The structure and growth mechanism of Si nanoneedles prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    Nanotechnology 21 (2010) 415604(1)-415604(7).
  11. J. Kočka, T. h. Stuchlíková, M. Ledinský, J. Stuchlík, T. Mates, A. Fejfar
    Microcrystalline silicon, grain boundaries and role of oxygen.
    Solar Energy Materials and Solar Cells 93 (2009) 1444-1447.
  12. J. Stuchlík, M. Ledinský, S. Honda, I. Drbohlav, T. Mates, A. Fejfar, K. Hruška, T. h. Stuchlíková, J. Kočka
    LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition.
    Thin Solid Films 517 (2009) 6829-6832.
  13. J. Kočka, T. Mates, M. Ledinský, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, A. Fejfar
    A simple quality factor for characterization of thin silicon films
    Journal of Non-Crystalline Solids 354 (2008) 2227-2230.
  14. J. Kočka, T. Mates, M. Ledinský, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, A. Fejfar
    Properties of thin film silicon, prepared at high growth rate in a wide range of thicknesses
    Journal of Non-Crystalline Solids 354 (2008) 2451-2454.
  15. J. Kočka, T. Mates, M. Ledinský, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, A. Fejfar
    A simple tool for quality evaluation of the microcrystalline silicon prepared at high growth rate.
    Thin Solid Films 516 (2008) 4966-4969.
  16. J. Kočka, T. Mates, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, A. Fejfar
    Characterization of grain growth, nature and role of grain boundaries in microcrystalline silicon – review of typical features.
    Thin Solid Films 501 (2006) 107-112.
  17. J. Kočka, T. Mates, M. Ledinský, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, A. Fejfar
    Transport properties of microcrystalline silicon prepared at high growth rate.
    Journal of Non-Crystalline Solids 352 (2006) 1097-1100.
  18. J. Kočka, T. Mates, M. Ledinský, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, A. Fejfar
    Microcrystalline silicon prepared at magnetic field modified nucleation
    Journal of Non-Crystalline Solids 352 (2006) 901-905.
  19. J. Kočka, A. Fejfar, T. Mates, P. Fojtík, K. Dohnalová, K. Luterová, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, I. Pelant, B. Rezek, A. Stemmer, M. Ito
    The physics and technological aspects of the transition from amorphous to microcrystalline and polycrystalline silicon.
    physica status solidi (c) 1 (2004) 1097-1114.
  20. J. Kočka, T. Mates, P. Fojtík, M. Ledinský, K. Luterová, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, I. Pelant, A. Fejfar, M. Ito, K. Ro, H. Uyama
    Formation of Microcrystalline Silicon at Low Temperatures and Role of Hydrogen
    Journal of Non-Crystalline Solids 338-340 (2004) 287-290.
  21. A. Fejfar, T. Mates, P. Fojtík, M. Ledinský, K. Luterová, T. h. Stuchlíková, I. Pelant, J. Kočka, V. Baumruk, A. Macková, M. Ito, K. Ro, H. Uyama
    Sructure and properties of silicon thin films deposited at low substrate temperatures
    Japanese Journal of Applied Physics 242 (2003) L987- L989.
  22. J. Kočka, A. Fejfar, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, P. Fojtík, T. Mates, B. Rezek, K. Luterová, V. Švrček, I. Pelant
    Basic features of transport in microcrystalline silicon
    Solar Energy Materials and Solar Cells 78 (2003) 493-512.
  23. M. Ito, S. Yoneyama, Y. Ito, H. Uyama, T. Mates, M. Ledinský, K. Luterová, P. Fojtík, T. h. Stuchlíková, A. Fejfar, J. Kočka
    Silicon thin films deposited at very low substrate temperature
    Thin Solid Films 442 (2003) 163-166.
  24. J. Kočka, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, B. Rezek, T. Mates, V. Švrček, P. Fojtík, I. Pelant, A. Fejfar
    Model of transport in microcrystalline silicon.
    J. Non-Cryst. Solids 299-302 (2002) 355 - 359
  25. V. Švrček, A. Fejfar, P. Fojtík, T. Mates, A. Poruba, T. h. Stuchlíková, I. Pelant, J. Kočka, Y. Nasuno, M. Kondo, A. Matsuda
    Importance of the transport isotropy in uc-Si:H thin films for solar cells deposited at low substrate temperatures.
    J. Non-Cryst. Solids 299-302 (2002) 395 - 399
  26. J. Kočka, A. Fejfar, P. Fojtík, K. Luterová, I. Pelant, B. Rezek, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, V. Švrček
    Charge transport in microcrystalline Si- the specific features.
    Sol. Energ. Mat. Sol. C. 66 (2001) 61 - 71
  27. V. Švrček, I. Pelant, J. Kočka, P. Fojtík, B. Rezek, T. h. Stuchlíková, A. Fejfar, J. Stuchlík, A. Poruba, J. Toušek
    Transport Anisotropy in Microcrystalline Silicon Studied by Measurement of Ambipolar Diffusion Length.
    J. Appl. Phys. 89 (2001) 1800 - 1805
  28. J. Kočka, T. h. Stuchlíková, J. Stuchlík, B. Rezek, V. Švrček, P. Fojtík, I. Pelant, A. Fejfar
    Microcrystalline Silicon - Relation between Transport and Microstructure.
    Solid State Phenom. 80-81 (2001) 213 - 224
  29. J. Kočka, J. Stuchlík, T. h. Stuchlíková, V. Svrček, P. Fojtík, T. Mates, K. Luterová, A. Fejfar
    Amorphous/microcrystalline silicon superlattices - the chance to control isotropy and other transport properties.
    Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2540 - 2542
  30. G. Juška, K. Genevičius, M. Viliunas, K. Arlauskas, T. h. Stuchlíková, A. Fejfar, J. Kočka
    New method of drift mobility evaluation in uc-Si:H, basic idea and comparison with time-of-flight.
    J. Non-Cryst. Solids 266-269 (2000) 331 - 335
  31. K. Luterová, P. Fojtík, A. Poruba, J. Dian, J. Valenta, T. h. Stuchlíková, J. Štěpánek, J. Kočka, I. Pelant
    Light emitting wide band gap a-Si:H deposited by microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapour deposition.
    J. Non-Cryst. Solids 266-269 (2000) 583 - 587
  32. K. Nakahata, T. Kamiya, C. M. Fortmann, I. Schimizu, T. h. Stuchlíková, A. Fejfar, J. Kočka
    Anisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas.
    J. Non-Cryst. Solids 266-269 (2000) 341 - 346