Tajemný zabiják luminiscence z nejhlubších kvantových jamách násobných InGaN/GaN struktur

Text

Tato práce navrhuje nové vysvětlení, proč nejhlubší kvantové jámy ve struktuře vícenásobných kvantových jam mají vysokou nezářivou rekombinaci. Výsledky SIMS, pozitronová annihilační spektroskopie a fotoluminiscenční měření ukazují, že vakance Ga v komplexu s atomy vodíku může hrát dominantní roli v nezářivé Shockley-Read-Hall rekombinaci nejhlubších QW ve InGaN/GaN MQW strukturách.