1. F. Hájek, Jakub Čížek, Jan Kuriplach, Roman Hrytsak, T. Hubáček, F. Dominec, K. Kuldová, V. Babin, O. Szabó, P. Hubík, Ewa Grzanka, Robert Czernecki, Mike Leszczynski, Maciej Oscar Liedke, Maik Butterling, Eric Hirschmann, Andreas Wagner, A. Hospodková
    Clusters of vacancies in gallium nitride grown by MOCVD
    Journal of Physics-Materials 8 (2025) 045008(1)-045008(13).
  2. F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, V. Vaněček, T. Hubáček, A. Hospodková, F. Dominec, T. Košutová
    Response of InGaN/GaN multiple quantum well structure to UV-C and vacuum UV optical excitation
    Journal of Luminescence 269 (2024) 120463(1)-120463(6).
  3. M. Buryi, V. Babin, N. Neykova, Yu-Min Wang, Z. Remeš, K. Pekárková, F. Dominec, M. Davydova, J. Drahokoupil, S. Chertopalov, L. Landová, Ognen Pop-Georgievski
    Changes to Material Phase and Morphology Due to High-Level Molybdenum Doping of ZnO Nanorods: Influence on Luminescence and Defects
    Materials 16 (9) (2023) 3294(1)-3294(20).
  4. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, M. Hývl, J. Pangrác, F. Dominec, T. Košutová
    Electron Transport Properties in HEMT structures improved by V-pit formation on AlGaN/GaN interface
    ACS Applied Materials and Interfaces 15 (2023) 19646-19652.
  5. F. Hájek, V. Jarý, T. Hubáček, F. Dominec, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, T. Vaněk, M. Buryi, G. Ledoux, C. Dujardin
    Donor-Acceptor Pairs Recombination as the Origin of the Emission Shift In InGaN/GaN Scintillator Heterostructures Doped with Zn
    ECS Journal of Solid State Science and Technology 12 (2023) 066004-.
  6. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, J. Mareš, J. Pangrác, F. Dominec, K. Kuldová, E. Hulicius
    Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters
    Journal of Crystal Growth 605 (2023) 127061-1-127061-7.
  7. Y. Tratsiak, E. Trusova, M. Buryi, V. Babin, F. Dominec, F. Hájek, G. Malashkevich
    The Effect of Be Co-Doping on Luminescence Properties of Gd3Al3Ga2O12:Ce Glass Ceramics
    physica status solidi (a) 219 (2022) 2200043(1)-2200043(6).
  8. A. Hospodková, J. Čížek, F. Hájek, T. Hubáček, J. Pangrác, F. Dominec, K. Kuldová, J. Batysta, M.O. Liedke, E. Hirschmann, M. Butterling, A. Wagner
    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers
    Materials 15 (2022) 6916(1)-6916(13).
  9. M. Buryi, Z. Remeš, V. Babin, S. Chertopalov, K. Děcká, F. Dominec, J. Mičová, N. Neykova
    Free-standing ZnO:Mo nanorods exposed to hydrogen or oxygen plasma: Influence on the intrinsic and extrinsic defect states
    Materials 15 (2022) 2261(1)-2261(18).
  10. F. Hájek, A. Hospodková, T. Hubáček, J. Oswald, J. Pangrác, F. Dominec, R. Horešovský, K. Kuldová
    Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
    Journal of Luminescence 236 (2021) 118127(1)-118127(5).
  11. T. Vaněk, F. Hájek, F. Dominec, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Pangrác, T. Košutová, P. Kejzlar, P. Bábor, A. Lachowski, A. Hospodková
    Luminescence redshift of thick InGaN/GaN heterostructures induced by the migration of surface adsorbed atoms
    Journal of Crystal Growth 565 (2021) 126151(1)-126151(6).
  12. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, V. Jarý, F. Dominec, M. Slavická Zíková, F. Hájek, E. Hulicius, A. Vetuško, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Nikl
    Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
    CrystEngComm 21 (2019) 356-362.
  13. F. Dominec, A. Hospodková, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, A. Vetuško, E. Hulicius
    Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 246-250.
  14. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, F. Hájek, F. Dominec, N. Florini, Ph. Komninou, G. Ledoux, C. Dujardin
    Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 310-315.
  15. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová, F. Hájek, F. Dominec, A. Vetuško, S. Hasenöhrl
    Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE
    Lithuanian Journal of Physics 59 (2019) 179-186.
  16. A. Hospodková, T. Hubáček, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Hývl, F. Dominec, G. Ledoux, Ch. Dujardin
    InGaN/GaN Structures: Effect of the Quantum Well Number on the Cathodoluminescent Properties
    physica status solidi (b) 255 (2018) 1700464(1)-1700464(5).
  17. A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác, F. Dominec, M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman
    InAs/GaSb/AlSb composite quantum well structure preparation with help of reflectance anisotropy spectroscopy
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 206-210.
  18. M. Šindler, C. Kadlec, F. Dominec, P. Kužel, C. Elissalde, A. Kassas, J. Lesseur, D. Bernard, P. Mounaix, H. Němec
    Bulk magnetic terahertz metamaterials based on dielectric microspheres
    Optics Express 24 (2016) 18340-18345.
  19. O. Mitrofanov, F. Dominec, P. Kužel, J. L. Reno, I. Brener, U-C. Chung, C. Elissalde, M. Maglione, P. Mounaix
    Near-field probing of Mie resonances in single TiO2 microspheres at terahertz frequencies
    Optics Express 22 (2014) 23034-23042.
  20. F. Dominec, C. Kadlec, H. Němec, P. Kužel, F. Kadlec
    Transition between metamaterial and photonic-crystal behavior in arrays of dielectric rods
    Optics Express 22 (2014) 30492-30503.
  21. M. Navarro-Cía, M. Natrella, F. Dominec, J. C. Delagnes, P. Kužel, P. Mounaix, C. Graham, C. C. Renaud, A. J. Seeds, O. Mitrofanov
    Terahertz imaging of sub-wavelength particles with Zenneck surface waves
    Applied Physics Letters 103 (2013) 221103(1)-221103(5).