Kvantové tečky na bázi InAs/GaAs jsou perspektivními strukturami do aktivních oblastí laserů a optických zesilovačů používaných pro přenos dat optickými vláknovými vlnovody.
V laboratoři MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) oddělení polovodičů připravujeme InAs/GaAs kvantové tečky metodou organokovové epitaxe ve Stranskeho-Krastanowově módu růstu.
Podařilo se nám nalézt nový způsob monitorování vzniku InAs kvantových teček v MOVPE reaktoru.
Záznam časově rozlišené anizotropie reflektance při tvorbě InAs kvantových teček.
Zjistili jsme, že detekováním anizotropie reflektance epitaxního povrchu na energii 4,2 eV lze získat informaci o růstové rychlosti InAs napnuté vrstvy (maximum při 1 monovrstvě InAs) a lze přímo v reálném čase pozorovat, kdy se kvantové tečky začínají tvořit a kdy je jejich vývoj ukončen [1]. Takto lze snáze optimalizovat technologické parametry při růstu kvantových teček, tedy připravit struktury s lepšími parametry – vhodnou vlnovou délkou a vysokou intenzitou fotoluminiscence - a zároveň snížit náklady na přípravu těchto struktur.
Snímek kvantových teček pomocí AFM.
[1] A. Hospodková, J. Vyskočil, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius, K. Kuldová, Surface processes during growth of InAs/GaAs quantum dot structures monitored by reflectance anisotropy spectroscopy, Surf. Sci. 604 (2010) 318 - 321.