Ing. Alice Hospodková, Ph.D.

Alice Hospodková
Vedoucí oddělení
Kategorie
Ved. věd. pracovník
Sekce (číslo)
Oddělení (číslo)
Laboratoř / vědecká skupina
Telefon
220 318 401
E-mail
hospodko [at] fzu.cz
Lokalita
Cukrovarnická
Místnost
F 113
  1. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, T. Hubáček, J. Oswald, K. Kuldová, F. Hájek, G. Ledoux, C. Dujardin
    Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties
    Journal of Crystal Growth 506 (2019) 8-13.
  2. F. Dominec, A. Hospodková, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, A. Vetuško, E. Hulicius
    Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 246-250.
  3. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, F. Hájek, F. Dominec, N. Florini, Ph. Komninou, G. Ledoux, C. Dujardin
    Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 310-315.
  4. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, V. Jarý, F. Dominec, M. Slavická Zíková, F. Hájek, E. Hulicius, A. Vetuško, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Nikl
    Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
    CrystEngComm 21 (2019) 356-362.
  5. G. Toci, L. A. Gizzi, P. Koester, F. Baffigi, L. Fulgentini, L. Labate, A. Hospodková, V. Jarý, M. Nikl, M. Vannini
    InGaN/GaN multiple quantum well for superfast scintillation application: photoluminescence measurements of the picosecond rise time and excitation density effect
    Journal of Luminescence 208 (2019) 119-124.
  6. E. Hulicius, A. Hospodková, M. Slavická Zíková
    Quantum Dots
    Chapter 6: Quantum dots (pp.175-216), in: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE): Growth, Materials Properties, Ed.: Stuart Irvine, Peter Capper, Wiley Series in Materials for Electronic & Optoelectronic Applications, ISBN: 978-1-119-31301-4, October 2019, 584 Pages.
  7. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová, F. Hájek, F. Dominec, A. Vetuško, S. Hasenöhrl
    Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE
    Lithuanian Journal of Physics 59 (2019) 179-186.