1. F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, V. Vaněček, T. Hubáček, A. Hospodková, F. Dominec, T. Košutová
    Response of InGaN/GaN multiple quantum well structure to UV-C and vacuum UV optical excitation
    Journal of Luminescence 269 (2024) 120463(1)-120463(6).
  2. V. Lavrentev, D. Chvostová, M. Klementová, K. Kuldová, E. de Prado, J. Vacík, I. Lavrentieva, A. Dejneka
    Room temperature excitonic coupling in self-assembled copper - Fullerene hybrid films exposed to ambient air
    Carbon 226 (2024) 119230-.
  3. I. Villa, A. Monguzzi, R. Lorenzi, M. Orfano, V. Babin, F. Hájek, K. Kuldová, R. Kučerková, A. Beitlerová, I. Mattei, H. Buresova, R. Pjatkan, V. Cuba, L. Prouzova Prochazkova, M. Nikl
    On the Origin of the Light Yield Enhancement in Polymeric Composite Scintillators Loaded with Dense Nanoparticles
    Nano Letters 24 (2024) 8248-8256.
  4. M. Buryj, Z. Remeš, F. Hájek, K. Kuldová, V. Babin, K. Děcká, Hadi Hematian, Lucie Landová, N. Neykova, Eva Horynová, B. Rezek
    Peculiarities Related to Er Doping of ZnO Nanorods Simultaneously Grown as Particles and Vertically Arranged Arrays
    Journal of Physical Chemistry C 127 (2023) 22177-22189.
  5. T. Hubáček, K. Kuldová, Z. Gedeonová, F. Hájek, T. Košutová, S. Banerjee, P. Hubík, J. Pangrác, T. Vaněk, A. Hospodková
    Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers
    Journal of Crystal Growth 604 (2023) 127043(1)-127043(5).
  6. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, J. J. Mareš, J. Pangrác, F. Dominec, K. Kuldová, E. Hulicius
    Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters
    Journal of Crystal Growth 605 (2023) 127061-1-127061-7.
  7. A. Hanková, T. Košutová, J. Hanuš, A. Kuzminova, P. Pleskunov, M. Červená, P. Zeman, N. Khomiakova, F. Hájek, O. Kylián
    Morphological and structural evolution of gas-phase synthesized vanadium nanoparticle films induced by thermal treatment
    Materials Chemistry and Physics 301 (2023) 127587(1)-127587(7).
  8. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, M. Hývl, J. Pangrác, F. Dominec, T. Košutová
    Electron Transport Properties in HEMT structures improved by V-pit formation on AlGaN/GaN interface
    ACS Applied Materials and Interfaces 15 (2023) 19646-19652.
  9. F. Hájek, V. Jarý, T. Hubáček, F. Dominec, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, T. Vaněk, M. Buryj, G. Ledoux, C. Dujardin
    Donor-Acceptor Pairs Recombination as the Origin of the Emission Shift In InGaN/GaN Scintillator Heterostructures Doped with Zn
    ECS Journal of Solid State Science and Technology 12 (2023) 066004-.
  10. T. Košutová, L. Horáka, P. Pleskunov, J. Hanuš, D. Nikitin, P. Kúš, M. Cieslar, I. Gordeev, S. Burazer, A. Choukourov, M. Dopita
    Thermally-driven morphogenesis of niobium nanoparticles as witnessed by in-situ x-ray scattering
    Materials Chemistry and Physics 277 (2022) 1-8.
  11. J. Stránská Matějová, A. Hospodková, T. Košutová, T. Hubáček, M. Hývl, V. Holý
    V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content
    Journal of Physics D: Applied Physics 55 (2022) 255101(1)-255101(15).
  12. T. Vaněk, V. Jarý, T. Hubáček, F. Hájek, K. Kuldová, Z. Gedeonová, V. Babin, Z. Remeš, M. Buryj
    Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping
    Journal of Alloys and Compounds 914 (2022) 165255-.
  13. M. Buryj, V. Babin, T. Hubáček, V. Jarý, F. Hájek, K. Kuldová, A. Artemenko, A. Hospodková
    The influence of Si on the properties of MOVPE grown GaN thin films: Optical and EPR study
    Radiation Measurements 157 (2022) 106842-.
  14. A. Hospodková, J. Čížek, F. Hájek, T. Hubáček, J. Pangrác, F. Dominec, K. Kuldová, J. Batysta, M.O. Liedke, E. Hirschmann, M. Butterling, A. Wagner
    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers
    Materials 15 (2022) 6916(1)-6916(13).
  15. M. Buryj, V. Babin, T. Hubáček, V. Jarý, F. Hájek, K. Kuldová, Z. Remeš, A. Hospodková
    Optical properties of epitaxially grown GaN:Ge thin films
    Optical Materials: X 16 (2022) 100211(1)-100211(6).
  16. M. Buryj, T. Hubáček, F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, K. Kuldová, T. Vaněk
    Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells
    Journal of Physics: Conference Series 2413 (2022) 1-9.
  17. F. Hájek, A. Hospodková, T. Hubáček, J. Oswald, J. Pangrác, F. Dominec, R. Horešovský, K. Kuldová
    Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
    Journal of Luminescence 236 (2021) 118127(1)-118127(5).
  18. T. Vaněk, F. Hájek, F. Dominec, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Pangrác, T. Košutová, P. Kejzlar, P. Bábor, A. Lachowski, A. Hospodková
    Luminescence redshift of thick InGaN/GaN heterostructures induced by the migration of surface adsorbed atoms
    Journal of Crystal Growth 565 (2021) 126151(1)-126151(6).
  19. F. Hájek, A. Hospodková, P. Hubík, Z. Gedeonová, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová
    Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
    Semiconductor Science and Technology 36 (2021) 075016(1)-075016(9).
  20. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterilng, A. Wagner, P. Hubík, E. Hulicius
    Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor
    Journal of Crystal Growth 531 (2020) 125383(1)-125383(7).
  21. A. Hospodková, F. Hájek, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Oswald, T. Vaněk, A. Vetuško, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterling, A. Wagner
    A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures
    Journal of Crystal Growth 536 (2020) 125579(1)-125579(6).
  22. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, T. Hubáček, J. Oswald, K. Kuldová, F. Hájek, G. Ledoux, C. Dujardin
    Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties
    Journal of Crystal Growth 506 (2019) 8-13.
  23. F. Dominec, A. Hospodková, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, A. Vetuško, E. Hulicius
    Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 246-250.
  24. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, F. Hájek, F. Dominec, N. Florini, Ph. Komninou, G. Ledoux, C. Dujardin
    Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 310-315.
  25. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, V. Jarý, F. Dominec, M. Slavická Zíková, F. Hájek, E. Hulicius, A. Vetuško, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Nikl
    Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
    CrystEngComm 21 (2019) 356-362.
  26. Sara Gleco, O. Romanyuk, I. Gordeev, K. Kuldová, Tania Paskova, and Albena Ivanisevic
    Modification of the Surface Properties of AlxGa1−xN Substrates with Gradient Aluminum Composition Using Wet Chemical Treatments
    ACS Omega 4 (2019) 11760-11769.
  27. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová, F. Hájek, F. Dominec, A. Vetuško, S. Hasenöhrl
    Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE
    Lithuanian Journal of Physics 59 (2019) 179-186.
  28. J. Humlíček, K. Kuldová, R. Krumpolec, D. C. Cameron
    Ellipsometry, reflectance, and photoluminescence of nanocrystalline CuCl thin films on silicon
    Journal of Vacuum Science and Technology B 37 (2019) 051206(1)-051206(5).
  29. A. Hospodková, T. Hubáček, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Hývl, F. Dominec, G. Ledoux, Ch. Dujardin
    InGaN/GaN Structures: Effect of the Quantum Well Number on the Cathodoluminescent Properties
    physica status solidi (b) 255 (2018) 1700464(1)-1700464(5).
  30. R. Krumpolec, T. Homola, D. C. Cameron, J. Humlíček, O. Caha, K. Kuldová, R. Zazpe, J. Přikryl, J. M. Macak
    Structural and Optical Properties of Luminescent Copper(I) Chloride Thin Films Deposited by Sequentially Pulsed Chemical Vapour Deposition
    Coatings 8 (2018) 369(1)-369(16).
  31. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác
    Improvement of luminescence properties of GaN buffer layer for fast nitride scintillator structures
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 221-225.
  32. A. Hospodková, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Nikl, O. Pacherová, J. Oswald, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, P. Brůža, D. Pánek, K. Blažek, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Heuken, E. Hulicius
    Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
    Proceedings of SPIE 10036 (2017) UNSP1003617(1)-UNSP1003617(4).
  33. A. Hospodková, J. Oswald, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, K. Blažek, G. Ledoux, C. Dujardin, M. Nikl
    On the correlations between the excitonic luminescence efficiency and the QW numbers in multiple InGaN/GaN QW structure
    Journal of Applied Physics 121 (2017) 214505(1)-214505(8).
  34. A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Slavická Zíková, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures
    Physica B: Condensed Matter 480 (2016) 14-22.
  35. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, J. Oswald, K. Kuldová, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Graded GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Crystal Growth 370 (2013) 303-306.
  36. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, J. Oswald, J. Kubištová, K. Kuldová, P. Hazdra, E. Hulicius
    Type I - type II band alignment of GaAsSb/InAs/GaAs quantum dot heterostructure influenced by dot size and strain reducing layer composition
    Journal of Physics D: Applied Physics 46 (2013) 095103(1)-095103(6).
  37. A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, J. Kubištová, Ph. Komninou, J. Kioseoglou, K. Kuldová, E. Hulicius
    Combined vertically correlated InAs and GaAsSb quantum dots separated by triangular GaAsSb barrier
    Journal of Applied Physics 114 (2013) 174305(1)-174305(5).
  38. M. Molas, K. Gołasa, K. Kuldová, J. Borysiuk, A. Babinski, J. Lapointe, Z. Wasilewski
    The effect of In-flush on the optical anisotropy of InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Applied Physics 111 (2012) 033510-1-033510-4.
  39. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Vyskočil, J. Oswald, A. Vetuško, O. Caha, P. Hazdra, K. Kuldová, E. Hulicius
    InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
    Journal of Crystal Growth 317 (2011) 39-42.
  40. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, P. Hazdra, K. Kuldová, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Influence of strain reducing layers on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures
    Journal of Crystal Growth 315 (2011) 110-113.
  41. P. Hazdra, J. Oswald, V. Komarnitskyy, K. Kuldová, A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác
    Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots Covered by Different Strain Reducing Layers Exhibiting Strong Photo- and Electroluminescence in 1.3 and 1.55 $\mu$m Bands
    Journal of Nanoscience and Nanotechnology 11 (2011) 6804-6809.
  42. A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác, J. Oswald, J. Vyskočil, K. Kuldová, T. Šimeček, P. Hazdra, O.Caha
    InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Crystal Growth 312 (2010) 1383-1387.
  43. A. Hospodková, J. Vyskočil, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius, K. Kuldová
    Surface processes during growth of InAs/GaAs quantum dot structures monitored by reflectance anisotropy spectroscopy
    Surface Science 604 (2010) 318-321.
  44. K. Kuldová, M. Molas, J. Borysiuk, A. Babiński, Z. Výborný, J. Pangrác, J. Oswald
    Quantum confinement in MOVPE-grown structures with selfassembled InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Physics: Conference Series 245 (2010) 01207(1)-01207(4).
  45. J. Oswald, P. Hazdra, K. Kuldová, A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác, J. Vyskočil
    Electro- and photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot structures
    Journal of Physics: Conference Series 245 (2010) 012080(1)-012080(4).
  46. K. Neudert, F. Trojánek, K. Kuldová, J. Oswald, A. Hospodková, P. Malý
    Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots
    physica status solidi (c) 6 (2009) 853-856.
  47. P. Hazdra, J. Oswald, V. Komarnitskyy, K. Kuldová, A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác
    Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs
    Superlattices and Microstructures 46 (2009) 324-327.
  48. P. Hazdra, J. Oswald, V. Komarnitskyy, K. Kuldová, A. Hospodková, J. Vyskočil, E. Hulicius, J. Pangrác
    InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 μm band.
    IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 6 (2009) 012007-1-012007-4.
  49. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius, K. Kuldová, J. Vyskočil, K. Melichar, T. Šimeček
    Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Crystal Growth 310 (2008) 5081-5084.
  50. E. Hulicius, J. Oswald, J. Pangrác, J. Vyskočil, A. Hospodková, K. Kuldová, K. Melichar, T.Šimeček
    Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures
    Journal of Crystal Growth 310 (2008) 2229-2233.