1. X. Wang, T. Vaněk, F. Hájek, V. Jarý, T. Hubáček, A. Hospodková, F.C.-C. Ling, S. Xu
    Sub-bandgap excited photoluminescence probing of deep defect complexes in GaN doped by Si, Ge and C impurities
    Semiconductor Science and Technology 39 (2024) 105010(1)-105010(11).
  2. T. Vaněk, A. Hospodková, K. Blažek, E. Hulicius
    A hybrid detector based on MOVPE-grown InGaN/GaN multiple quantum wells with BGO scintillator layers
    Československý časopis pro fyziku 74 (2024) 13-17.
  3. F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, V. Vaněček, T. Hubáček, A. Hospodková, F. Dominec, T. Košutová
    Response of InGaN/GaN multiple quantum well structure to UV-C and vacuum UV optical excitation
    Journal of Luminescence 269 (2024) 120463(1)-120463(6).
  4. M. Buryj, V. Babin, N. Neykova, Yu-Min Wang, Z. Remeš, K. Pekárková, F. Dominec, M. Davydova, J. Drahokoupil, S. Chertopalov, L. Landová, Ognen Pop-Georgievski
    Changes to Material Phase and Morphology Due to High-Level Molybdenum Doping of ZnO Nanorods: Influence on Luminescence and Defects
    Materials 16 (9) (2023) 3294(1)-3294(20).
  5. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, M. Hývl, J. Pangrác, F. Dominec, T. Košutová
    Electron Transport Properties in HEMT structures improved by V-pit formation on AlGaN/GaN interface
    ACS Applied Materials and Interfaces 15 (2023) 19646-19652.
  6. F. Hájek, V. Jarý, T. Hubáček, F. Dominec, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, T. Vaněk, M. Buryj, G. Ledoux, C. Dujardin
    Donor-Acceptor Pairs Recombination as the Origin of the Emission Shift In InGaN/GaN Scintillator Heterostructures Doped with Zn
    ECS Journal of Solid State Science and Technology 12 (2023) 066004-.
  7. D. Miliaieva, A. Sokeng-Djoumessi, J. Čermák, K. Kolářová, M. Schaal, F. Otto, E. Shagieva, O. Romanyuk, J. Pangrác, J. Kulíček, V. Nádaždy, Š. Stehlík, A. Kromka, H. Hoppe, B. Rezek
    Absolute energy levels in nanodiamonds of different origins and surface chemistries
    Nanoscale Advances 5 (2023) 4402-4414.
  8. T. Hubáček, K. Kuldová, Z. Gedeonová, F. Hájek, T. Košutová, S. Banerjee, P. Hubík, J. Pangrác, T. Vaněk, A. Hospodková
    Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers
    Journal of Crystal Growth 604 (2023) 127043(1)-127043(5).
  9. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, J. J. Mareš, J. Pangrác, F. Dominec, K. Kuldová, E. Hulicius
    Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters
    Journal of Crystal Growth 605 (2023) 127061-1-127061-7.
  10. Y. Tratsiak, E. Trusova, M. Buryj, V. Babin, F. Dominec, F. Hájek, G. Malashkevich
    The Effect of Be Co-Doping on Luminescence Properties of Gd3Al3Ga2O12:Ce Glass Ceramics
    physica status solidi (a) 219 (2022) 2200043(1)-2200043(6).
  11. M. Buryj, Z. Remeš, V. Babin, S. Chertopalov, K. Děcká, F. Dominec, J. Mičová, N. Neykova
    Free-standing ZnO:Mo nanorods exposed to hydrogen or oxygen plasma: Influence on the intrinsic and extrinsic defect states
    Materials 15 (2022) 2261(1)-2261(18).
  12. J. Stránská Matějová, A. Hospodková, T. Košutová, T. Hubáček, M. Hývl, V. Holý
    V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content
    Journal of Physics D: Applied Physics 55 (2022) 255101(1)-255101(15).
  13. M. Buryj, V. Babin, T. Hubáček, V. Jarý, F. Hájek, K. Kuldová, A. Artemenko, A. Hospodková
    The influence of Si on the properties of MOVPE grown GaN thin films: Optical and EPR study
    Radiation Measurements 157 (2022) 106842-.
  14. T. Vaněk, V. Jarý, T. Hubáček, F. Hájek, K. Kuldová, Z. Gedeonová, V. Babin, Z. Remeš, M. Buryj
    Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping
    Journal of Alloys and Compounds 914 (2022) 165255-.
  15. A. Hospodková, J. Čížek, F. Hájek, T. Hubáček, J. Pangrác, F. Dominec, K. Kuldová, J. Batysta, M.O. Liedke, E. Hirschmann, M. Butterling, A. Wagner
    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers
    Materials 15 (2022) 6916(1)-6916(13).
  16. M. Buryj, V. Babin, T. Hubáček, V. Jarý, F. Hájek, K. Kuldová, Z. Remeš, A. Hospodková
    Optical properties of epitaxially grown GaN:Ge thin films
    Optical Materials: X 16 (2022) 100211(1)-100211(6).
  17. M. Buryj, T. Hubáček, F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, K. Kuldová, T. Vaněk
    Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells
    Journal of Physics: Conference Series 2413 (2022) 1-9.
  18. M. Hocker, K. Thonke, Y. Li, J. Biskupek, U. Kaiser, J.-P. Scholz, T. Hubáček, O. Rettig, F. Scholz
    Combined depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy and transmission electron microscopy on Al(Ga)N multi quantum well structures
    Nano Express 2 (2021) 014002(1)-014002(13).
  19. F. Hájek, A. Hospodková, T. Hubáček, J. Oswald, J. Pangrác, F. Dominec, R. Horešovský, K. Kuldová
    Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
    Journal of Luminescence 236 (2021) 118127(1)-118127(5).
  20. T. Vaněk, F. Hájek, F. Dominec, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Pangrác, T. Košutová, P. Kejzlar, P. Bábor, A. Lachowski, A. Hospodková
    Luminescence redshift of thick InGaN/GaN heterostructures induced by the migration of surface adsorbed atoms
    Journal of Crystal Growth 565 (2021) 126151(1)-126151(6).
  21. F. Hájek, A. Hospodková, P. Hubík, Z. Gedeonová, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová
    Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
    Semiconductor Science and Technology 36 (2021) 075016(1)-075016(9).
  22. Š. Stehlík, J. Henych, P. Hrmová, R. Král, P. Zemenová, J. Pangrác, O. Vaněk, A. Kromka, B. Rezek
    Size and nitrogen inhomogeneity in detonation and laser synthesized primary nanodiamond particles revealed via salt-assisted deaggregation
    Carbon 171 (2021) 230-239.
  23. V. Jarý, A. Hospodková, T. Hubáček, F. Hájek, K. Blažek, M. Nikl
    Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures Grown on GaN and Sapphire Substrates
    IEEE Transactions on Nuclear Science 67 (2020) 974-977.
  24. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterilng, A. Wagner, P. Hubík, E. Hulicius
    Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor
    Journal of Crystal Growth 531 (2020) 125383(1)-125383(7).
  25. A. Hospodková, F. Hájek, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Oswald, T. Vaněk, A. Vetuško, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterling, A. Wagner
    A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures
    Journal of Crystal Growth 536 (2020) 125579(1)-125579(6).
  26. E. Hulicius, A. Hospodková, M. Slavická Zíková
    Quantum Dots
    Chapter 6: Quantum dots (pp.175-216), in: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE): Growth, Materials Properties, Ed.: Stuart Irvine, Peter Capper, Wiley Series in Materials for Electronic & Optoelectronic Applications, ISBN: 978-1-119-31301-4, October 2019, 584 Pages.
  27. G. Toci, L. A. Gizzi, P. Koester, F. Baffigi, L. Fulgentini, L. Labate, A. Hospodková, V. Jarý, M. Nikl, M. Vannini
    InGaN/GaN multiple quantum well for superfast scintillation application: photoluminescence measurements of the picosecond rise time and excitation density effect
    Journal of Luminescence 208 (2019) 119-124.
  28. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová, F. Hájek, F. Dominec, A. Vetuško, S. Hasenöhrl
    Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE
    Lithuanian Journal of Physics 59 (2019) 179-186.
  29. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, T. Hubáček, J. Oswald, K. Kuldová, F. Hájek, G. Ledoux, C. Dujardin
    Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties
    Journal of Crystal Growth 506 (2019) 8-13.
  30. F. Dominec, A. Hospodková, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, A. Vetuško, E. Hulicius
    Influence of GaN buffer layer under InGaN/GaN MQWs on luminescent properties
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 246-250.
  31. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, F. Hájek, F. Dominec, N. Florini, Ph. Komninou, G. Ledoux, C. Dujardin
    Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 310-315.
  32. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, V. Jarý, F. Dominec, M. Slavická Zíková, F. Hájek, E. Hulicius, A. Vetuško, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Nikl
    Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
    CrystEngComm 21 (2019) 356-362.
  33. H. Beran, V. Cílek, A. Fejfar, E. Hulicius, L. Lízal, V. Mařík, V. Pačes, M. Punčochář, R. Šrám, J. Vondráš, V. Wagner
    Where Czech energetics will be directed?
    ISBN 978-80-7261-560-5 Albatros Media a.s., 2018
  34. O. Rettig, J.-P. Scholz, N. Steiger, S. Bauer, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, Y. Li, H. Qi, J. Biskupek, U. Kaiser, K. Thonke, F. Scholz
    Investigation of Boron Containing AlN and AlGaN Layers Grown by MOVPE
    physica status solidi (b) 255 (2018) 1700510(1)-1700510(9).
  35. A. Hospodková, T. Hubáček, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Hývl, F. Dominec, G. Ledoux, Ch. Dujardin
    InGaN/GaN Structures: Effect of the Quantum Well Number on the Cathodoluminescent Properties
    physica status solidi (b) 255 (2018) 1700464(1)-1700464(5).
  36. J. Vyskočil, A. Hospodková, O. Petříček, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, J. Oswald, A. Vetuško
    GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 64-68.
  37. A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác, F. Dominec, M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman
    InAs/GaSb/AlSb composite quantum well structure preparation with help of reflectance anisotropy spectroscopy
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 206-210.
  38. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius
    Comparison of MOVPE Grown GaAs, InGaAs and GaAsSb Covering Layers for Different InAs/GaAs Quantum Dot Applications
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 59-63.
  39. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác
    Improvement of luminescence properties of GaN buffer layer for fast nitride scintillator structures
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 221-225.
  40. A. Hospodková, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Nikl, O. Pacherová, J. Oswald, T. Hubáček, M. Slavická Zíková, P. Brůža, D. Pánek, K. Blažek, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Heuken, E. Hulicius
    Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
    Proceedings of SPIE 10036 (2017) UNSP1003617(1)-UNSP1003617(4).
  41. A. Hospodková, J. Oswald, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, K. Kuldová, K. Blažek, G. Ledoux, C. Dujardin, M. Nikl
    On the correlations between the excitonic luminescence efficiency and the QW numbers in multiple InGaN/GaN QW structure
    Journal of Applied Physics 121 (2017) 214505(1)-214505(8).
  42. Š. Stehlík, M. Varga, P. Hrmová, L. Ondič, M. Ledinský, J. Pangrác, O. Vaňek, J. Lipov, A. Kromka. B Rezek
    Ultrathin Nanocrystalline Diamond Films with Silicon Vacancy Color Centers via Seeding by 2 nm Detonation Nanodiamonds
    ACS Applied Materials and Interfaces 9 (2017) 38842-38853.
  43. A. Hospodková, J. Vyskočil, M. Slavická Zíková, J. Oswald, J. Pangrác, O. Petříček
    GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures — improvement by composition profiling of layers surrounding QD
    Materials Research Express 4 (2017) 025502(1)-025502(8).
  44. M.P. Mikhailova, V.A. Berezovets, R.V. Parfeniev, L.V. Danilov, M.O. Safonchik, A. Hospodková, J. Pangrác, E. Hulicius
    Vertical Transport in Type-II Heterojunctions with InAs/GaSb/AlSb Composite Quantum Wells in a High Magnetic Field
    Semiconductors 51 (2017) 1343-1349.
  45. K. Kočí, L. Matějová, N. Ambrožová, M. Šihor, I. Troppová, L. Čapek, A. Kotarba, P. Kustrowski, A. Hospodková, L. Obalová
    Optimization of cerium doping of TiO2 for photocatalytic reduction of CO2 and photocatalytic decomposition of N2O
    Journal of Sol-Gel Science and Technology 78 (2016) 550-558.
  46. A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Slavická Zíková, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures
    Physica B: Condensed Matter 480 (2016) 14-22.
  47. I.V. Kochman, A.I. Veinger, M.P. Mikhailova, P.V. Semenikhin, K.V. Kalinina, R.V. Parfeniev, V.A. Berezovetz, A. Hospodková, J. Pangrác, E. Hulicius
    Microwave radiation absorption by 2D-electrons in the type II composite InAs/GaSb/AlSb quantum wells in a magnetic field
    Journal of Physics: Conference Series 769 (2016) 012075(1)-012075(6).
  48. M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman, P.V. Semenikhin, K.V. Kalinina, R.V. Parfeniev, V.A. Berezovets, M.O. Safonchik, A. Hospodková, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, E. Hulicius
    Microwave radiation absorption and Shubnikov-de Haas oscillations in semimetal InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells
    Journal of Nanophotonics 10 (2016) 046013(1)-046013(8).
  49. M. Šindler, C. Kadlec, F. Dominec, P. Kužel, C. Elissalde, A. Kassas, J. Lesseur, D. Bernard, P. Mounaix, H. Němec
    Bulk magnetic terahertz metamaterials based on dielectric microspheres
    Optics Express 24 (2016) 18340-18345.
  50. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Vyskočil, E. Hulicius, J. Oswald, P. Komninou, J. Kioseoglou
    The Metalorganic Vapour Phase Epitaxy Growth of AIIIBV Heterostructures Observed by Reflection Anisotropy Spectroscopy
    Acta Physica Polonica A 129 (2016) A-75-A-78.