Nanoobjekty silicidů a germanidů přechodných prvků byly doposud zkoumány pro využití v mikroelektronice, termoelektronice a optoelektronice. Vhodnost těchto materiálů pro fotovoltaiku nebyla dosud systematicky studována. Nanoobjekty ternárních silicid-germanidů přechodných kovů budou připraveny v systémech M-Si-Ge (M - přechodný kov), metodou CVD z rozličných prekurzorů. K porozumnění příčin vzniku rozdílných morfologií budou testovány různé experimentální podmínky, např. teplota, tlak, trvání experimentu a typ použitých prekurzorů. Sloučeniny s různými poměry Si/Ge budou připraveny za účelem studia efektu Si-Ge substituce na fázové transformace, krystalovou strukturu a elektronické vlastnosti. Pokud bude možné, metodou indukčního tavení připravíme také monokrystaly jednotlivých fází, abychom mohli studovat odpovídající struktury rtg difrakcí a porovnat je s jejich nanofázovými analogy.
Nanoobjekty ternárních silicid-germanidů přechodných kovů: strukturní a fázové vztahy, elektronické vlastnosti a fotovoltaické aplikace
Abstract