1. F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, V. Vaněček, T. Hubáček, A. Hospodková, F. Dominec, T. Košutová
    Response of InGaN/GaN multiple quantum well structure to UV-C and vacuum UV optical excitation
    Journal of Luminescence 269 (2024) 120463(1)-120463(6).
  2. T. Hubáček, K. Kuldová, Z. Gedeonová, F. Hájek, T. Košutová, S. Banerjee, P. Hubík, J. Pangrác, T. Vaněk, A. Hospodková
    Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers
    Journal of Crystal Growth 604 (2023) 127043(1)-127043(5).
  3. A. Hanková, T. Košutová, J. Hanuš, A. Kuzminova, P. Pleskunov, M. Červená, P. Zeman, N. Khomiakova, F. Hájek, O. Kylián
    Morphological and structural evolution of gas-phase synthesized vanadium nanoparticle films induced by thermal treatment
    Materials Chemistry and Physics 301 (2023) 127587(1)-127587(7).
  4. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, M. Hývl, J. Pangrác, F. Dominec, T. Košutová
    Electron Transport Properties in HEMT structures improved by V-pit formation on AlGaN/GaN interface
    ACS Applied Materials and Interfaces 15 (2023) 19646-19652.
  5. T. Košutová, L. Horáka, P. Pleskunov, J. Hanuš, D. Nikitin, P. Kúš, M. Cieslar, I. Gordeev, S. Burazer, A. Choukourov, M. Dopita
    Thermally-driven morphogenesis of niobium nanoparticles as witnessed by in-situ x-ray scattering
    Materials Chemistry and Physics 277 (2022) 1-8.
  6. J. Stránská Matějová, A. Hospodková, T. Košutová, T. Hubáček, M. Hývl, V. Holý
    V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content
    Journal of Physics D: Applied Physics 55 (2022) 255101(1)-255101(15).
  7. T. Vaněk, F. Hájek, F. Dominec, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Pangrác, T. Košutová, P. Kejzlar, P. Bábor, A. Lachowski, A. Hospodková
    Luminescence redshift of thick InGaN/GaN heterostructures induced by the migration of surface adsorbed atoms
    Journal of Crystal Growth 565 (2021) 126151(1)-126151(6).